[发明专利]一种LED芯片制作方法无效
| 申请号： | 201410082788.5 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872192A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 汤乐;刘慰华;陈伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、提供一衬底，依次在衬底上生长N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，形成LED外延结构；
S2、对LED外延结构在700～900℃温度下进行高温退火；
S3、在退火后的LED外延结构上生长接触层；
S4、在接触层和P型半导体层上分别制作P电极和N电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中还包括：在衬底上生长缓冲层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型半导体层为N-GaN层，P型半导体层为P-GaN层，多量子阱发光层为GaN发光层或InGaN发光层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底材料为蓝宝石、Si、SiC、GaN、或ZnO。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中退火条件为：
温度700～900℃，反应室压力200～300torr，反应气体氛围:氮气50～100L/min、氨气30～70L/min。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中退火时间小于或等于10min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触层为InGaN接触层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述InGaN接触层的生长条件为：
三乙基镓100～200sccm，三甲基铟300～500sccm，硅烷浓度35～45ppm，生长温度650～720℃，马达转速500～700rpm。
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