[发明专利]具有磁解耦的籽晶层的读取器

权利要求书

1.一种装置，包括：

底部屏蔽层；以及

传感器叠层，

其中所述底部屏蔽层通过第一软磁层与所述传感器叠层隔开，所述第一软磁层从所述底部屏蔽层磁解耦。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一软磁层利用非磁性材料的层从所述底部屏蔽层磁解耦。

3.如权利要求1所述的装置，进一步包括顶部屏蔽层，其中所述顶部屏蔽层通过第二软磁层与传感器叠层隔开，所述第二软磁层从顶部屏蔽层磁解耦。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二软磁层利用非磁性材料的层从所述顶部屏蔽层磁解耦。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传感器叠层位于磁盘驱动器的读取头上。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一软磁层由NiFe、NiFeCu和NiCoFe中的至少一种制成。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述软磁层和底部屏蔽层之间的磁性能量交换基本上为零。

8.一种装置，包括：

底部屏蔽层；

传感器叠层；以及

底部籽晶层，所述底部籽晶层将所述底部屏蔽层与所述传感器叠层隔开，其中所述底部籽晶层包括：

底部耦合的籽晶部分，所述底部耦合的籽晶部分与所述底部屏蔽层耦合；以及

底部去耦的籽晶部分，所述底部去耦的籽晶部分与所述底部屏蔽层去耦，其中所述底部去耦的籽晶部分覆盖包围所述传感器叠层的底部窗口。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述底部窗口在垂直于所述传感器叠层的方向中在传感器以外的尺寸至少为所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层之间的间距的尺寸的两倍。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述底部去耦的籽晶部分利用非磁性材料的层从所述底部屏蔽层去耦。

11.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括位于与所述底部屏蔽层相对的传感器叠层的一侧上的顶部屏蔽层，所述顶部屏蔽层通过顶部籽晶层与所述传感器叠层隔开。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述顶部籽晶层包括：

顶部耦合的籽晶部分，所述顶部耦合的籽晶部分与所述顶部屏蔽层耦合；以及

顶部去耦的籽晶部分，所述顶部去耦的籽晶部分与所述顶部屏蔽层去耦，其中所述顶部去耦的籽晶部分覆盖包围所述传感器叠层的顶部窗口。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述顶部去耦的籽晶部分利用非磁性材料的层从所述顶部屏蔽层去耦。

14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述顶部窗口在垂直于所述传感器叠层的方向中在传感器以外的尺寸至少为所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层之间的间距的尺寸的两倍。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述底部耦合的籽晶部分和所述顶部耦合的籽晶部分由NiFe、NiFeCu和NiCoFe中的至少一个制成。

16.一种读取器传感器，包括：

传感器叠层；

底部籽晶层，所述底部籽晶层将所述传感器叠层与底部屏蔽层隔开，其中所述底部籽晶层至少部分地与所述底部屏蔽层去耦。

17.如权利要求16所述的读取器传感器，其特征在于，进一步包括将所述传感器叠层与顶部屏蔽层隔开的顶部籽晶层，其中所述顶部籽晶层至少部分地与所述顶部屏蔽层去耦。

18.如权利要求16所述的读取器传感器，其特征在于，与所述底部屏蔽层去耦的所述底部籽晶层在垂直于所述传感器叠层的方向中的部分的尺寸至少为所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层之间的间距的尺寸的两倍。

19.如权利要求18所述的读取器传感器，其特征在于，与所述顶部屏蔽层去耦的所述顶部籽晶层在垂直于所述传感器叠层的方向中的部分的尺寸至少为所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层之间的间距的尺寸的两倍。

20.如权利要求13所述的读取器传感器，其特征在于，所述传感器叠层位于磁盘驱动器的读取头上。