[发明专利]一种GaN异质结功率二极管在审
| 申请号： | 201410083056.8 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103872145A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周琦;汪玲;鲍旭;牟靖宇;施媛媛;尉中杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 异质结 功率 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN异质结功率二极管，包括衬底基片（1）、设置在衬底基片（1）上端面的GaN层（2）、设置在GaN层（2）上端面的AlMN层（3），所述GaN层（2）和AlMN层（3）构成异质结，所述AlMN层（3）上端面的两侧分别设置有第一肖特基金属（5）和第二肖特基金属（9），所述第一肖特基金属（5）和第二肖特基金属（9）之间设置有钝化层（7），所述第一肖特基金属（5）与AlMN层（3）之间设置有第一欧姆接触层（4），其特征在于，所述AlMN层（3）与第二肖特基金属（9）的接触面设置有凹槽（8），所述凹槽（8）中靠近第一肖特基金属（5）的一侧设置有电介质（6），另一侧设置第二欧姆接触层（10）。
2.根据权利要求1所述的一种GaN异质结功率二极管，其特征在于，所述AlMN层（3）中M为Ga、In和Ga与In的混合物中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种GaN异质结功率二极管，其特征在于，所述电介质（6）为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO和HfO2中的一种。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种GaN异质结功率二极管，其特征在于，所述凹槽（8）的深度为20nm。
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