[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201410083251.0 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN104037195B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 千田尚之;道前芳隆;横山浩平;二星学;塚本优人;井上智;川户伸一;菊池克浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
绝缘层;
所述绝缘层上的第一电极;
所述绝缘层上的第二电极;
所述绝缘层上且所述第一电极与所述第二电极之间的结构物;
所述第一电极与所述结构物之间的第一隔壁,该第一隔壁覆盖所述第一电极的端部;
所述第二电极与所述结构物之间的第二隔壁,该第二隔壁覆盖所述第二电极的端部;
所述第一电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁和所述第二电极上的第一发光单元;
所述第一发光单元上的中间层;
夹着所述中间层位于所述第一发光单元上的第二发光单元;以及
所述第二发光单元上的第三电极,
其中,所述结构物使用与所述第一电极同一层形成。
2.一种发光装置,包括:
绝缘层;
所述绝缘层上的第一电极;
所述绝缘层上的第二电极;
所述绝缘层中且所述第一电极与所述第二电极之间的沟槽部分;
所述绝缘层上且所述沟槽部分中的结构物;
所述沟槽部分中的第一隔壁,该第一隔壁位于所述第一电极与所述结构物之间并覆盖所述第一电极的端部;
所述沟槽部分中的第二隔壁,该第二隔壁位于所述第二电极与所述结构物之间并覆盖所述第二电极的端部;
所述第一电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁和所述第二电极上的第一发光单元;
所述第一发光单元上的中间层;
夹着所述中间层位于所述第一发光单元上的第二发光单元;以及
所述第二发光单元上的第三电极。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,还包括位于所述第一电极与所述第一发光单元之间和所述第二电极与所述第一发光单元之间中的至少一方的光学调整层,
其中所述结构物为包括使用与所述第一电极同一层形成的层和使用与所述光学调整层同一层形成的层的叠层体。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述结构物的侧面上的所述中间层的垂直于所述结构物的所述侧面的方向上的厚度小于所述第一电极上的所述中间层的垂直于所述第一电极的顶面的方向上的厚度。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述第一发光单元包括载流子注入层,
并且所述结构物的侧面上的所述载流子注入层的垂直于所述结构物的所述侧面的方向上的厚度小于所述第一电极上的所述载流子注入层的垂直于所述第一电极的顶面的方向上的厚度。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中EL层包括所述第一发光单元、所述中间层和所述第二发光单元,
并且所述结构物的侧面上的所述EL层的垂直于所述结构物的所述侧面的方向上的厚度小于所述第一电极上的所述EL层的垂直于所述第一电极的顶面的方向上的厚度。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述结构物的侧面和所述结构物的底面所形成的角度大于或等于60°且小于或等于110°。
8.根据权利要求2所述的发光装置,
其中所述结构物使用与所述第一电极同一层形成。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置,还包括:
所述第一隔壁和所述第二隔壁上的第一滤色片,该第一滤色片与所述第一电极重叠;以及
所述第一隔壁和所述第二隔壁上的第二滤色片,该第二滤色片与所述第二电极重叠。
10.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述第一隔壁和所述第二隔壁被着色。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中所述结构物围绕所述第一电极和所述第二电极的每一个;
并且所述第一隔壁和所述第二隔壁分别围绕所述第一电极和所述第二电极。
12.根据权利要求1或2所述的发光装置,
其中在所述结构物与所述第一隔壁之间以及在所述结构物与所述第二隔壁之间设置所述第一发光单元、所述中间层以及所述第二发光单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的