[发明专利]磁感应器的形成方法有效
| 申请号： | 201410083737.4 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103824936B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张亚利,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感应器 形成 方法 | ||
1.一种磁感应器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成磁性材料层；
在所述磁性材料层上形成高阻阻挡层；
形成图案化的磁性材料层和图案化的高阻阻挡层。
2.如权利要求1所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，在所述高阻阻挡层上还形成有低阻阻挡层。
3.如权利要求2所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，所述高阻阻挡层的厚度为10～300埃，所述低阻阻挡层的厚度为500～1000埃。
4.如权利要求2或3所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，所述高阻阻挡层的含氮量高于所述低阻阻挡层的含氮量。
5.如权利要求1所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，所述高阻阻挡层的厚度为500～1300埃。
6.如权利要求1所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，所述磁性材料层为镍铁，所述高阻阻挡层的材料为高阻氮化钽。
7.如权利要求6所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，所述高阻阻挡层的形成方法为沉积，所述沉积的工艺条件为：沉积气体包括氩气和氮气，所述氩气和所述氮气的比例为1:（1.5～3），直流电源功率为500～5000W。
8.如权利要求1所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成磁性材料层的步骤之前还包括在所述衬底上形成第一刻蚀停止层的步骤。
9.如权利要求8所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一刻蚀停止层的步骤之后，形成磁性材料层的步骤之前，还包括在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层的步骤，所述第二刻蚀停止层的厚度远小于第一刻蚀停止层的厚度。
10.如权利要求8所述的磁感应器的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一刻蚀停止层的步骤之前，还包括下列步骤：
在所述衬底上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成凹槽，所述磁性材料层和高阻阻挡层覆盖所述凹槽的底部和侧壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410083737.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阻变存储器结构及其制备方法
- 下一篇：防水保暖导湿透气外套
