[发明专利]氧化硅薄膜制备方法、氧化膜厚度控制装置及氧化炉

权利要求书

1.一种氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，包括：

提供热氧化炉，所述热氧化炉适于在硅片上生长若干批次的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜具有相同的目标厚度，且生长不同批次的氧化硅薄膜时，热氧化炉的热氧化反应气压不同；

获取热氧化炉基于不同热氧化反应气压下，氧化硅薄膜厚度与热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量关系曲线的一种或多种；

在采用所述热氧化炉生长所述氧化硅薄膜时，根据获取的外界气压和所述关系曲线，调节所述热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量中的一种或多种工艺参数以平衡不同批次的热氧化反应气压的波动。

2.如权利要求1所述的氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，还包括：基于待生长之前批次对待生长批次的热氧化反应气压的影响，调节所述热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量中的一种或多种工艺参数以平衡不同批次的热氧化反应气压的波动。

3.如权利要求2所述的氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，基于待生长之前批次对待生长批次的热氧化反应气压的影响，调节所述热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量中的一种或多种工艺参数以平衡不同批次的热氧化反应气压的波动包括：

获取氧化炉热氧化反应气压波动区间；

将所述波动区间划分为若干子区间；

根据所述子区间确定与所述子区间对应的热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量；

获取待生长批次的热氧化校正反应气压；

根据与所述热氧化校正反应气压对应的子区间，选择与所述子区间对应的热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量；并将所述对应的热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量作为待生长批次的热氧化工艺条件。

4.如权利要求3所述的氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述热氧化校正

反应气压的获取方法为：

Atm_Revise=Atm_Actual-(THK_-1×R_-1+THK_-2×R_-2+THK_-3×R_-3-Target)/C；

其中，Atm_Revise为热氧化校正反应气压；Atm_Actual为所述热氧化外界气压；

THK_-1、THK_-2、THK_-3分别为待生长批次的前一批次、前二批次、前三批

次硅片的氧化硅薄膜厚度；Target为目标厚度；R_-1、R_-2、R_-3分别为待生长

批次的前一批次、前二批次、前三批次硅片对待生长批次的影响因子，C

为气压与氧化硅薄膜厚度关联系数。

5.如权利要求4所述的氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，R_-1＞R_-2＞R_-3。

6.如权利要求5所述的氧化硅薄膜制备方法，其特征在于，0.4≤R_-1≤0.6，

0.2≤R_-2≤0.4，0.1≤R_-3≤0.3。