[发明专利]一种大规模集成电路制造装备用因瓦合金及其制备方法

权利要求书

1.一种大规模集成电路制造装备用因瓦合金，其特征在于，常规铁镍因瓦合金由Ni、Fe和允许的杂质组成，所述允许的杂质包括C，其中所述Ni的质量分数为34.0%～38.0%，所述C的质量分数为0.001%～0.1%，余量为Fe；所述大规模集成电路制造装备用因瓦合金为在保持所述常规铁镍因瓦合金成分的基础上添加Ti，所述Ti的质量分数为0.01%～0.5%；所述Ti与所述C发生反应原位生成强化相TiC。

2.根据权利要求1所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金，其特征在于，所述Ni的质量分数为35.5%～36.5%。

3.根据权利要求1或2所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金，其特征在于，所述Ti的质量分数为0.01%～0.1%。

4.根据权利要求1或2所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金，其特征在于，所述C的质量分数为0.01%～0.1%。

5.一种如权利要求1所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

一、配制原材料，电解镍质量占原材料总质量的34.0～38.0%，海绵钛质量占原材料总质量的0.01%～0.5%，余量为电解铁，其中所含C元素质量占原材料总质量的0.001%～0.1%；

二、在温度为1520～1580℃及真空度为0.5×10^-2～5×10^-2Pa条件下，将所述原材料投入真空电弧炉进行熔炼，保温时间为5～30min，得到熔体；将所述熔体调温至1450～1520℃出炉，将所述熔体浇铸成铸锭；

三、将所述铸锭加热至加工温度1000～1200℃，进行压力加工得到制品；

四、对所述制品进行热处理，加热至800～900℃保温0.5～3h，迅速冷却至室温，继续加热至300～350℃保温2～6h，缓慢冷却至室温；即得到所述大规模集成电路制造装备用因瓦合金。

6.根据权利要求5所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金的制备方法，其特征在于，所述步骤二中所述熔炼温度为1550℃，所述真空度为0.5×10^-2～2×10^-2Pa，所述保温时间为10min。

7.根据权利要求5所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金的制备方法，其特征在于，所述步骤三中所述加工温度为1100℃。

8.根据权利要求5所述的大规模集成电路制造装备用因瓦合金的制备方法，其特征在于，所述步骤四中对所述制品进行热处理，将锻坯加热至840℃保温2h水淬至室温，继续加热至315℃保温4h，炉冷或空冷至室温。