[发明专利]在衬底上利用离子束以及可变孔隙来进行离子注入的方法

权利要求书

1.一种在一衬底上利用一离子束以及一可变孔隙来进行离子注入的方法，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底因为一在先沉积工艺而具有非均匀特性；

根据所述非均匀特性来决定用于所述衬底的一第一部分的一第一离子束参数以及用于所述衬底的一第二部分的一第二离子束参数，其中所述第一部分不同于所述第二部分，并且所述第一离子束参数不同于所述第二离子束参数；

产生所述离子束，并且将产生的所述离子束导引至所述可变孔隙；

利用所述可变孔隙来改变所述离子束的形状，以形成具有所述第一离子束参数的一第一成形后离子束，并且将所述第一成形后离子束应用于所述衬底的所述第一部分；以及

利用所述可变孔隙来改变所述离子束的形状，以形成具有所述第二离子束参数的一第二成形后离子束，并且将所述第二成形后离子束应用于所述衬底的所述第二部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非均匀特性包括不均匀掺杂量以及不均匀厚度的一沉积薄膜至少其中之一。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一成形后离子束和所述第二成形后离子束的尺寸以及形状至少其中之一不同。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，相较于所述第二部分，所述第一部分具有一较厚的在先沉积薄膜。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一成形后离子束和所述第二成形后离子束具有相同的形状，其中所述第一成形后离子束应用于所述第一部分达一第一持续时间，所述第二成形后离子束应用于所述第二部分达相似或不同于第一持续时间的一第二持续时间，并且所述第一成形后离子束和所述第二成形后离子束的尺寸不同。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底的所述第一部分和所述衬底的所述第二部份具有不同厚度的所述在先沉积薄膜以及不同的对应蚀刻速率，并且所述第一成型后离子束的应用和所述第二成型后离子束的应用改变了所述对应蚀刻速率之间的差异。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一离子束参数和一离子束电流分布相关。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子束具有一离子束电流分布，其中所述离子束电流分布包括两个外侧部分之间的一中央部分，所述方法更包括以下至少其中之一：

改变所述离子束的形状，以形成所述第一成形后离子束的步骤，包括利用所述可变孔隙遮挡掉来自于所述第一成形后离子束的两个所述外侧部分至少其中之一；

所述第二离子束参数和一离子束电流分布相关；以及

改变所述离子束的形状，以形成所述第二成形后离子束的步骤，包括利用所述可变孔隙遮挡掉来自于所述第二成形后离子束的两个所述外侧部分至少其中之一。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，更包括以下至少其中之一：

改变所述离子束的形状，以形成所述第一成形后离子束的步骤，包括改变所述离子束的一横截面的尺寸；以及

改变所述离子束的形状，以形成所述第二成形后离子束的步骤，包括改变所述离子束的一横截面的尺寸。

10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，更包括以下至少其中之一：

改变所述离子束的形状，以形成所述第一成形后离子束的步骤，包括改变所述离子束的一横截面的形状；以及

改变所述离子束的形状，以形成所述第二成形后离子束的步骤，包括改变所述离子束的一横截面的形状。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的所述非均匀特性包括所述第一部分具有一第一组均匀特性，并且所述第二部分具有一第二组均匀特性，其中所述第一组均匀特性不同于所述第二组均匀特性。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的所述非均匀特性包括所述第一部分具有一第一组非均匀特性，并且所述第二部分具有一第二组非均匀特性，其中所述第一组非均匀特性和所述第二组非均匀特性并不完全相同。