[发明专利]利用离子束以及可变孔隙在衬底上进行离子注入的方法

权利要求书

1.一种利用多个成形后离子束以及靠近一衬底的一可变孔隙在所述衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，其中所述衬底具有一第一部分以及一第二部分，所述衬底的第二部分不同于所述衬底的第一部分，所述方法包括：

产生一初始离子束；

导引所述初始离子束通过一光学组件以形成一改变后离子束，其中，所述光学组件包含一磁铁组件，形成所述改变后离子束的步骤包含利用所述磁铁组件产生一磁场来改变所述初始离子束之各个离子的运动，使得所述改变后离子束的横截面电流分布相异于所述初始离子束的横截面电流分布且较所述初始离子束的横截面电流分布平滑；

导引所述改变后离子束至所述可变孔隙；

利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束，以形成一第一成形后离子束；

应用所述第一成形后离子束于所述衬底的第一部分，其中，在应用所述第一成形后离子束的过程中，所述改变后离子束的参数保持不变；

利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束，以形成一第二成形后离子束，其中，所述第二成形后离子束在尺寸及形状至少其中之一相异于所述第一成形后离子束；以及

应用所述第二成形后离子束于所述衬底的第二部分，其中，在应用所述第二成形后离子束的过程中，所述改变后离子束的参数保持不变。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一成形后离子束应用于所述衬底的第一部分的步骤和将所述第二成形后离子束应用于所述衬底的第二部分的步骤发生在相同的扫描速度下。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束的步骤，包含使所述衬底位于看不到所述改变后离子束的位置。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述衬底位于看不到所述改变 后离子束的位置时，暂停所述初始离子束，并调整所述可变孔隙之形状或尺寸。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改变后离子束的横截面电流分布包括一个所需中央部分以及非所需部份，利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束以形成所述第一成形后离子束或所述第二成形后离子束的方法更包括：

利用所述可变孔隙遮挡住部分的所述改变后离子束，并且容许所述所需中央部分通过可变孔隙以调整所述改变后离子束的形状。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一成形后离子束在尺寸上小于或等于所述改变后离子束的横截面电流分布的所述中央部份。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二成形后离子束在尺寸上小于或等于所述改变后离子束的横截面电流分布的所述中央部份。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述改变后离子束的横截面电流分布包括一个所需中央部分以及非所需部份，利用所述可变孔隙来改变所述改变后离子束以形成所述第一成形后离子束或所述第二成形后离子束的方法更包括：

利用所述可变孔隙遮挡住部分的所述改变后离子束，并且容许所述所需中央部分通过可变孔隙以改变所述改变后离子束的形状。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一成形后离子束在尺寸上小于或等于所述改变后离子束的横截面电流分布的所述中央部份。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二成形后离子束在尺寸上小于或等于所述改变后离子束的横截面电流分布的所述中央部份。