[发明专利]一种膜层的干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；

S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；

S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。

2.根据权利要求1所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，

所述步骤S1中，采用以下方法预先确定所述刻蚀反应气体与所述PR灰化气体之间气体体积比：

通过将所述刻蚀反应气体和PR灰化气体调成不同比例，再测试刻蚀反应气体与PR灰化气体之间不同气体比例时的膜层刻蚀率和PR灰化率，得到所述刻蚀反应气体与所述PR灰化气体之间气体体积比分别与膜层刻蚀率和PR灰化率的比例关系；

因膜层刻蚀率与PR灰化率之间的比值与膜层坡度角成正比，从而可根据需要生产的膜层坡度角选定膜层刻蚀率和PR灰化率之间的比值，从而确定所述刻蚀反应气体与所述PR灰化气体之间的气体体积比。

3.根据权利要求2所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，在步骤S2中，通过膜层厚度与膜层刻蚀率的比值确定膜层刻蚀时间。

4.根据权利要求2所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下方法：

使反应气体流量和压力达到设定值；

等离子刻蚀机发生射频电源，产生等离子体对膜层进行刻蚀；

排除副产物和未反应的气体。

5.根据权利要求4所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，采用涡轮分子泵和干泵排除副产品和未反应的气体。

6.根据权利要求2所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，刻蚀参数为：源射频功率的范围为500～5000W，偏置射频功率范围为0～5000W，气体压力范围为10～300m Torr。

7.根据权利要求1～6任一项所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在步骤S1中，根据被刻蚀膜层材质选择对应刻蚀反应气体；PR灰化气体选择O₂。

8.一种膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：

Ⅰ采用刻蚀反应气体对膜层进行刻蚀；

Ⅱ采用PR灰化气体对PR层进行灰化；

Ⅲ将步骤Ⅰ和步骤Ⅱ交替进行；

Ⅳ膜层刻蚀完毕，除去剩下的PR胶，形成膜层的坡度角。

9.根据权利要求8所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，

所述步骤Ⅰ中，对膜层进行刻蚀的刻蚀参数为：刻蚀源射频功率范围为500～5000W，偏置射频功率范围为0～5000W，气体压力范围为10～300m Torr；

所述步骤Ⅱ中，对PR层进行灰化的参数：灰化源射频功率范围为500～3000W，偏置射频功率范围为0～3000W，气体压力范围为50～200mTorr。

10.根据权利要求8所述的膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤Ⅰ和所述步骤Ⅱ分别具体包括以下方法：

使气体流量和压力达到设定值；

等离子刻蚀机发生射频电源，产生等离子体对膜层进行刻蚀；

排除副产物和未反应的气体。