[发明专利]一种半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法有效
| 申请号： | 201410084245.7 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104900515B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 华强;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 蚀刻 方法 形成 | ||
1.一种半导体器件蚀刻方法，其特征在于，包括：
主蚀刻流程，包括：
所述半导体器件的基底层上的氧化物层上形成多晶层；
通过第一蚀刻流体对所述多晶层进行蚀刻；
满足预设的第一次蚀刻终点侦测条件时，结束所述主蚀刻流程，所述多晶层残留有第一预设厚度；
至少一次副蚀刻流程，包括：
通过第二蚀刻流体对所述残留的多晶层进行蚀刻，其中，所述第二蚀刻流体的蚀刻速率慢于所述第一蚀刻流体；
满足预设的第二次蚀刻终点侦测条件时，结束所述副蚀刻流程，所述氧化物层被蚀刻掉一定蚀刻量而残留有第二预设厚度；
所述第一蚀刻流体及第二蚀刻流体为气体，所述第二蚀刻流体为溴化氢、碳氟化合物及稀释性成分所组成的蚀刻气体，所述第二蚀刻流体对所述多晶层和所述氧化物层的选择比为15：1；
所述氧化物层厚度大于100埃，所述第二预设厚度指在所述氧化物层蚀刻损失大于0且小于等于80埃厚度后的残留厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件蚀刻方法，其特征在于：所述第一蚀刻流体为溴化氢比上氯气的配比大于5：1的蚀刻气体。
3.根据权利要求1所述的半导体器件蚀刻方法，其特征在于：所述半导体器件为0.18微米嵌入式电可擦除只读存储器，所述第一预设厚度为500埃，所述第二预设厚度为40～120埃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件蚀刻方法，其特征在于：所述多晶层上有光阻层。
5.一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件蚀刻方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
