[发明专利]栅极氧化层的制备方法有效
| 申请号： | 201410084501.2 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104916532B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 罗鹏程;董天化;朱赛亚;杜海;王亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化 制备 方法 | ||
1.一种栅极氧化层的制备方法，包括：
提供形成栅极氧化层之前的衬底，所述衬底中形成有STI，在STI之间的衬底区域为AA区，在所述AA区的表面和STI的表面覆盖一牺牲氧化层；
去除所述牺牲氧化层，并去除所述STI表面的部分材料，以使得所述STI的上表面低于所述AA区的上表面；
在去除所述STI表面部分材料后所露出的AA区的侧面以及所述AA区的上表面，生长第一氧化层；
去除所述第一氧化层，并进一步去除所述STI表面的部分材料，使得STI表面的高度进一步下降；
在所述AA区的上表面和侧面以及靠近所述AA区的STI表面生长栅极氧化层。
2.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：位于STI远离AA区表面的外侧覆盖有掩膜层。
3.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：采用湿法刻蚀方法，以去除所述牺牲氧化层，并去除所述STI表面的部分材料。
4.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：在去除所述牺牲氧化层，并去除所述STI表面的部分材料之后，所述AA区的上表面和STI的上表面高度差为100～200埃。
5.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：采用炉管工艺方法生长所述第一氧化层。
6.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为380～420埃。
7.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：采用湿法刻蚀方法，去除所述第一氧化层，并进一步去除所述STI表面部分材料。
8.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：去除所述第一氧化层，并进一步去除所述STI表面的部分材料之后，所述AA区的上表面与STI的表面高度差为480～620埃。
9.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：采用炉管工艺方法生长所述栅极氧化层。
10.根据权利要求1所述的栅极氧化层的制备方法，其特征在于：所述栅极氧化层的厚度为900～1100埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
