[发明专利]基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元在审
| 申请号： | 201410084629.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103886894A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王海滨;林善明;谢迎娟;单鸣雷;刘玉宏;刘翔 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 交叉 耦合 密勒电 容抗 seu 加固 新型 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元包括四个节点；所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。
2.根据权利要求1所述的基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，其特征在于：所述密勒电容在所述DICE存储单元的每两个节点之间设置有一个。
3.根据权利要求1所述的基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，其特征在于：所述密勒电容设置在所述DICE存储单元的每两个节点之间的交叉耦合线上。
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