[发明专利]一种磁传感装置及该装置的制备方法在审
申请号: | 201410085278.3 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN104914385A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 张开明;张挺 | 申请(专利权)人: | 上海矽睿科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R35/00;G01R3/00 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
地址: | 201815 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感 装置 制备 方法 | ||
1.一种磁传感装置,其特征在于,所述磁传感装置包括第三方向磁传感部件,第三方向磁传感部件包括:
-介质材料层,其表面开有沟槽;
-导磁单元,其部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽;用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;
-感应单元,靠近导磁单元露出沟槽的部分设置,用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直;
所述磁传感装置还包括能产生磁场的导电线圈,产生的磁场用于所述第三方向磁传感部件的自检测。
2.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述线圈设置于沿第三方向磁传感部件沟槽深度方向的一侧或两侧,即所述线圈设置于第三方向磁传感部件的下方或/和上方。
3.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第三方向磁传感部件与外围电路共用至少一层金属层;
所述介质材料层含有外围电路及至少两层顶层金属层,至少包括第一金属层、第二金属层,第二金属层位于第一金属层上方;
所述线圈位于第一金属层下方,或者线圈位于导磁单元及感应单元的上方;或者有两个以上的线圈,分别位于磁单元的上方和下方;
所述沟槽的底部位于第一金属层上,在刻蚀沟槽时自停止于第一金属层上方;沟槽位于第二金属层的一侧。
4.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第三方向磁传感部件与外围电路共用至少两层金属层;
所述介质材料层含有外围电路及至少两层金属,至少包括第一金属层、第二金属层,第二金属层位于第一金属层上方;
所述第一金属层的一部分形成线圈;即第一金属层的一部分起到其他作用,一部分形成线圈;
所述沟槽的底部位于第一金属层上,在刻蚀沟槽时自停止于第一金属层上方;沟槽位于第二金属层的一侧。
5.根据权利要求4所述的磁传感装置,其特征在于:
第一金属层的一部分起到的作用还包括电连接,MIM电容、屏蔽。
6.根据权利要求1所述的磁传感装置,其特征在于:
所述线圈设置于第三方向磁传感部件的下方或上方;或者线圈设置于第三方向磁传感部件的下方和上方;
所述第三方向磁传感部件包括绝缘自停止层,沟槽的底部位于所述绝缘自停止层上,在刻蚀沟槽时自停止于绝缘自停止层上方。
7.根据权利要求3或4或6所述的磁传感装置,其特征在于:
所述第三方向磁传感部件还包括设置于介质材料层上的一层或多层金属层;
所述磁传感装置还包括第一方向磁传感部件、第二方向磁传感部件;所述第一方向、第二方向、第三方向分别为X轴、Y轴、Z轴。
8.根据权利要求3或4或6所述的磁传感装置,其特征在于:
所述导磁单元包括至少两个导磁子单元,即至少包括第一导磁子单元、第二导磁子单元,各导磁子单元沿沟槽的深度方向依次排列,相邻的两个导磁子单元之间设有介质材料;各导磁子单元的部分设置于沟槽内;所述第一导磁子单元的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面;所述第二导磁子单元的主要部分设置于沟槽内,第二导磁子单元设置于第一导磁子单元的上方,第二导磁子单元与第一导磁子单元之间设有第一介质材料;所述导磁单元用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;
所述感应单元靠近导磁单元露出沟槽的部分设置,与导磁单元连接或者两者之间设有间隙,用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直;所述感应单元包括电极层及若干感应子单元,各个感应子单元分别靠近相应的导磁子单元设置;所述感应单元包括若干感应子单元,各个感应子单元分别靠近相应的导磁子单元设置;各个导磁子单元感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到对应的感应子单元进行测量;各感应子单元测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合对应导磁子单元输出的磁信号,能配合电极层测量被导磁子单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海矽睿科技有限公司,未经上海矽睿科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410085278.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁共振装置的噪声优化
- 下一篇:一种数字量电路状态检测电路和方法