[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法在审
申请号: | 201410085321.6 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN104347653A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 井上郁子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 庞乃媛;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,具备:
具备第一面和与所述第一面对置的第二面的半导体基板;
设置在所述半导体基板的所述第一面侧的电路;
设置在所述半导体基板中、用于对来自所述第二面侧的光进行光电变换的像素;以及
所述半导体基板的所述第二面侧的元件。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述元件具备电阻元件,该电阻元件具备所述第二面侧的所述半导体基板中的扩散层,或者所述第二面的上方的导电层。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述半导体基板包括含有所述像素的像素区域和与所述像素区域相邻的电路区域,
所述电路及所述元件被设置在所述电路区域中。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置,其中,
所述元件与所述电路及所述第二面的上方的垫片中的至少一方连接。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述元件具备电容元件,
该电容元件具备:
所述第二面侧的所述半导体基板中的扩散层,或者所述第二面上的第一导电层;
所述扩散层或者所述第一导电层上的绝缘膜;以及
所述绝缘膜上的第二导电层。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置,其中,
所述半导体基板包括含有所述像素的像素区域和与所述像素区域相邻的电路区域,
所述电路及所述元件被设置在所述电路区域中。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置,其中,
所述元件与所述电路及所述第二面的上方的垫片中的至少一方连接。
8.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述像素具备所述半导体基板中的所述第一面侧的光电二极管,
所述光电二极管具备所述半导体基板中的杂质区域中的所述第一面侧的扩散层,
所述固体摄像装置还具备在所述第二面的上方与所述光电二极管对置的透镜。
9.一种固体摄像装置的制造方法,其中,具备如下步骤:
在基板上,形成具备第一面和与所述第一面对置的第二面的半导体层,
在所述半导体层的所述第一面侧形成像素及电路,
所述像素对来自所述第二面侧的光进行光电变换,
将所述基板除去,
在所述半导体层的所述第二面侧形成元件。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法,其中,
形成所述元件具备如下步骤:
在所述第二面侧,在所述半导体层中形成扩散层,
在所述扩散层上的第一位置及第二位置分别形成导电层。
11.如权利要求10所述的固体摄像装置的制造方法,其中,
形成所述像素及所述电路具备如下步骤:
在所述半导体层的像素区域及电路区域中的所述第一面侧分别形成所述像素及所述电路,
形成所述元件具备如下步骤:
在所述电路区域中形成所述元件。
12.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法,其中,
形成所述元件具备如下步骤:
在所述第二面的上方形成导电层。
13.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法,其中,
形成所述像素及所述电路具备如下步骤:
在所述半导体层的像素区域及电路区域中的所述第一面侧分别形成所述像素及所述电路,
形成所述元件具备如下步骤:
在所述电路区域中形成所述元件。
14.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法,其中,
形成所述元件具备如下步骤:
在所述第二面侧,在所述半导体层中形成扩散层,
在所述扩散层上形成绝缘膜,
在所述绝缘膜上形成导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的