[发明专利]高线性度多模射频天线开关电路在审

专利信息
申请号: 201410085417.2 申请日: 2014-03-10
公开(公告)号: CN103795432A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 王宇晨;孙江涛;王显泰 申请(专利权)人: 锐迪科创微电子(北京)有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04W88/06
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 杨颖;张金芝
地址: 100086 北京市海淀区知*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 线性 度多模 射频 天线 开关电路
【权利要求书】:

1.一种高线性度多模射频天线开关电路,其特征在于,所述电路包括:天线、多个开关支路及多个信号收发端;其中,

每个所述信号收发端各自通过一个所述开关支路耦接至所述天线;

每个所述开关支路为若干个晶体管器件的叠层串联结构;

每个所述开关支路中,最靠近所述天线的前两个晶体管器件各并联有一个栅随电容。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路的每个所述开关支路中,所述若干个晶体管器件的叠层串联结构具体为:

除第一晶体管的源极/漏极接所述天线、最后一晶体管的漏极/源极接所述信号收发端外,前一晶体管的漏极/源极耦接下一晶体管的源极/漏极,每个晶体管的栅极还各自通过一负载耦接至同一栅电压端。

3.如权利要求1或2中所述的电路,其特征在于,所述电路的每个所述开关支路中,最靠近所述天线的第一晶体管的源极/漏极和栅极间并联有第一栅随电容;次靠近所述天线的第二晶体管的漏极/源极和栅极间并联有第二栅随电容。

4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述晶体管为NMOS管、PMOS管或基于PHEMT工艺的FET管。

5.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述栅随电容的大小为1pF左右。

6.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述多个开关支路的控制端采用单刀多掷、多刀多掷或各支路独立控制开断的方式连接。

7.如权利要求1或6所述的电路,其特征在于,所述电路中,同一时刻只有一个所述开关支路处于导通状态,此时其余所述开关支路处于关断状态。

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