[发明专利]用于高密度互连倒装晶片的底部填充料

权利要求书

1.一种底部填充料材料，所述底部填充料材料包含：

树脂，所述树脂用至少第一反应性基团官能化；

纳米填充材料，所述纳米填充材料用至少第二反应性基团官能化，所述第二反应性基团与所述树脂的所述第一反应性基团具有反应性。

2.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中至少用所述第一反应性基团官能化的所述树脂包括用反应性缩水甘油基官能化的硅氧烷。

3.根据权利要求2所述的底部填充料材料，其中用所述反应性缩水甘油基官能化的所述硅氧烷包括用所述缩水甘油基官能化的多面体低聚硅倍半氧烷。

4.根据权利要求2所述的底部填充料，其中用所述反应性缩水甘油基官能化的所述硅氧烷包括三(缩水甘油氧基丙基二甲基硅烷氧基)-苯基硅烷。

5.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述填充材料包括碳纳米管。

6.根据权利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是胺官能化的。

7.根据权利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是用氨基芘官能化的。

8.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述第一反应性基团包括环氧基。

9.根据权利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管具有小于5微米的平均长度。

10.根据权利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是单壁碳纳米管。

11.根据权利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是多壁碳纳米管。

12.根据权利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是竹节型碳纳米管。

13.根据权利要求6所述的底部填充料材料，其中所述碳纳米管是具有小于5微米的平均长度并且用氨基芘官能化的单壁碳纳米管。

14.根据权利要求1所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料还包含二氧化硅和硅烷偶联剂。

15.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述树脂还包含双酚F环氧树脂。

16.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述树脂包含氟硅氧烷消泡剂。

17.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述底部填充料具有在约90℃至约135℃的范围内的玻璃化转变温度。

18.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述底部填充料具有大于0.3GPa的高于Tg时的杨氏模量。

19.根据权利要求1所述的底部填充料材料，其中所述填充材料包含官能化的有机粘土。

20.根据权利要求19所述的底部填充料材料，其中所述官能化的有机粘土为厚度尺寸小于20纳米的小片形式。

21.根据权利要求19所述的底部填充料材料，其中所述无机填料官能化的有机粘土包括用季铵官能化的蒙脱石。

22.根据权利要求19所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料还包含二氧化硅和硅烷偶联剂。

23.根据权利要求22所述的底部填充料材料，其中所述树脂包含多芳胺。

24.根据权利要求23所述的底部填充料材料，其中所述树脂还包含双酚F环氧树脂。

25.根据权利要求24所述的底部填充料材料，其中所述树脂还包含氟硅氧烷消泡剂。

26.根据权利要求1所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料还包含多面体低聚硅倍半氧烷。

27.根据权利要求26所述的底部填充料材料，其中所述多面体低聚硅倍半氧烷包含至少一个环氧基。

28.根据权利要求27所述的底部填充料材料，其中所述多面体低聚硅倍半氧烷包括缩水甘油基多面体低聚硅倍半氧烷。

29.根据权利要求27所述的底部填充料材料，其中所述多面体低聚硅倍半氧烷包括三缩水甘油基环己基多面体低聚硅倍半氧烷。