[发明专利]半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置用硅部件，其特征在于，

所述半导体装置用硅部件为从柱状晶硅锭切下而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部的除外周部之外的内周部分配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从所述多个籽晶分别生长出单晶而获得，

所述柱状晶硅锭由准单晶硅锭构成，所述准单晶硅锭由单晶区域与多晶区域构成，所述单晶区域由所述单晶构成且形成于中央部，所述多晶区域形成于所述单晶区域的外周部，

上述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的大于450mmφ的干蚀刻用电极板，

所述半导体装置用硅部件由所述单晶区域和所述单晶区域的外侧的多晶区域构成，

暴露在半导体装置用硅部件的使用部位表面的面积的至少1/3以上被视为1个晶粒的面取向相同的结晶所占据，

根据半导体装置用硅部件的横截面中晶粒的晶界长度的总和LS和截面积A计算的晶界密度P＝LS/A为0.1以上且0.24以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

所述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的500mmφ以上的干蚀刻用电极板。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

所述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的530mmφ以上的干蚀刻用电极板。

4.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

在所述坩埚底部配置多个所述籽晶时，以相同的结晶取向排列各籽晶。

5.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

在所述坩埚底部配置所述籽晶时，在各籽晶彼此之间不形成间隙而紧密地配置。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

结晶中的氧浓度为5×10¹⁷atoms/ml以下。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

结晶中的氮浓度为7×10¹⁴atoms/ml以上4×10¹⁵atoms/ml以下。

8.根据权利要求6所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

结晶中的氮浓度为7×10¹⁴atoms/ml以上4×10¹⁵atoms/ml以下。

9.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

相对于半导体装置用硅部件的总横截面面积，所述单晶区域的面积比例为0.35以上且0.54以下。

10.根据权利要求1所述的半导体装置用硅部件，其特征在于，

在真空度：50mTorr、蚀刻时间：30分钟、蚀刻气体：SF₆、蚀刻气体流量：10sccm及输出功率：100W的条件下进行的等离子体蚀刻之后，0.065μm以上的粒子数为9个以上且14个以下。

11.一种半导体装置用硅部件的制造方法，其特征在于，具备：

单晶硅板配置工序，在坩埚底部的除外周部之外的内周部分配置由单晶硅板构成的多个籽晶；

硅原料熔融工序，在配置有所述单晶硅板的坩埚内装入硅原料，并以单晶硅板不完全熔解的条件对所述硅原料进行熔融以获得硅熔融液；

单向凝固工序，从配置有所述单晶硅板的所述坩埚底部朝上方单向凝固所述硅熔融液而获得柱状晶硅锭；及

加工工序，将所述柱状晶硅锭切下并进一步进行加工以形成半导体装置用硅部件，所述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的大于450mmφ的干蚀刻用电极板，

所述柱状晶硅锭由准单晶硅锭构成，所述准单晶硅锭由单晶区域与多晶区域构成，所述单晶区域由所述单晶构成且形成于中央部，所述多晶区域形成于所述单晶区域的外周部，

所述半导体装置用硅部件由所述单晶区域和所述单晶区域的外侧的多晶区域构成，

上述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的大于450mmφ的干蚀刻用电极板，

暴露在半导体装置用硅部件的使用部位表面的面积的至少1/3以上被视为1个晶粒的面取向相同的结晶所占据，

根据半导体装置用硅部件的横截面中晶粒的晶界长度的总和LS和截面积A计算的晶界密度P＝LS/A为0.1以上且0.24以下。