[发明专利]封装方法有效
| 申请号： | 201410085891.5 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103839844A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆；
刻蚀所述第一晶圆，在所述第一晶圆内形成第一凹槽；
在所述第一晶圆表面形成第一金属层；
所述第一金属层的表面形成第二凹槽；
在所述第二晶圆内形成第二金属层；
将所述第二晶圆的第一金属层和第二晶圆的第二金属层键合。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一金属层填充至少部分深度的所述第一凹槽。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一金属层填充满所述第一凹槽；
在所述第一金属层内形成第二凹槽的步骤包括：
刻蚀所述第一凹槽内的部分厚度的所述第一金属层，在所述第一凹槽内的第一金属层中形成第二凹槽，使所述第二凹槽内的第一金属层表面高度小于所述第一晶圆的表面高度。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一金属层填充满所述第一凹槽；在所述第一晶圆内，形成多条所述第一凹槽；
在所述第一金属层内形成第二凹槽的步骤包括：
去除所述第一晶圆表面部分厚度的所述第一金属层，使所述第一凹槽内的第一金属层的表面高度大于第一晶圆表面至少部分第一金属层的表面高度，在所述第一金属层内，在相邻两条第一凹槽之间形成所述第二凹槽。
5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一晶圆表面部分所述第一金属层，至露出部分所述第一晶圆表面。
6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一金属层表面，所述第二凹槽所占的面积比例为2/5至3/5。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度为
8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一凹槽的开口宽度为10～30μm。
9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一金属层之前，在所述第一晶圆表面，以及所述第一凹槽的底部和侧壁形成阻挡层。
10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一晶圆内，形成多条所述第一凹槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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