[发明专利]低温离子注入方法有效
| 申请号： | 201410085914.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103834925B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 约翰·D·波拉克;万志民;艾瑞克·科拉 | 申请（专利权）人： | 汉辰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 中国台湾新竹 县宝山乡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 离子 注入 方法 | ||
1.一种低温离子注入方法，包含：
将一衬底由一外界环境移入一腔室，其中所述外界环境具有一外界环境温度；
进行一冷却程序，以使所述衬底的一衬底温度降至低于所述外界环境温度；
进行一注入程序且持续进行所述冷却程序，以同时冷却所述衬底以及将离子注入所述衬底；
完成所述冷却程序，并持续进行所述注入程序，以将离子注入所述衬底；
完成所述注入程序，之后进行一加热程序，以加热所述衬底；以及
将所述衬底由所述腔室移至所述外界环境。
2.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，所述冷却程序与所述注入程序同时进行直到所述衬底温度与一预定注入温度实质相等为止。
3.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，所述注入程序在所述衬底温度低于水的冰点开始。
4.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，同时进行离子注入以及冷却所述衬底的期间与所述冷却程序的总期间的比值不大于一半。
5.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，同时进行离子注入以及冷却所述衬底的期间与所述冷却程序的总期间的比值不小于一半。
6.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，完成所述冷却程序的一时间点不晚于所述注入程序的期间的一半。
7.如权利要求1所述的低温离子注入方法，其特征在于，还包含以下一或多个步骤：
以一气体冷却所述衬底的背面，以及改变所述气体的压力以调整所述衬底温度；以及
以一灯具加热所述衬底，以及改变所述灯具的功率以调整所述衬底温度。
8.一种低温离子注入方法，包含：
在一腔室中提供一离子束，以及将一衬底由一外界环境移入所述腔室；
进行一冷却程序，以冷却所述衬底；
进行一注入程序，以将离子注入所述衬底，其中，一或多个温度调整程序以及所述注入程序的一部分期间或多个部分期间同时进行；
进行一加热程序，以加热所述衬底；以及
将所述衬底由所述腔室移至所述外界环境。
9.如权利要求8所述的低温离子注入方法，其特征在于，进行所述温度调整程序的期间与所述注入程序的总期间的比值不大于一半。
10.如权利要求8所述的低温离子注入方法，其特征在于，进行所述温度调整程序的期间与所述注入程序的总期间的比值不小于一半。
11.如权利要求8所述的低温离子注入方法，其特征在于，所述注入程序在所述衬底温度由所述冷却程序降低至实质与一预定注入温度相等时开始。
12.如权利要求8所述的低温离子注入方法，其特征在于，所述加热程序在所述衬底温度不低于所述外界环境的水的露点时完成。
13.如权利要求8所述的低温离子注入方法，其特征在于，还包含以下一或多个步骤：
以一气体冷却所述衬底的背面，以及改变所述气体的压力以调整所述衬底温度；以及
以一灯具加热所述衬底，以及改变所述灯具的功率以调整所述衬底温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉辰科技股份有限公司，未经汉辰科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410085914.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种煅烧煤系高岭土机械超细磨粉碎系统
- 下一篇：取向硅钢及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
