[发明专利]壳体、电子设备和热辐射处理方法在审
申请号: | 201410086537.4 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN104918425A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 喜圣华 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | H05K5/00 | 分类号: | H05K5/00;H05K7/20 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张振伟;王黎延 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳体 电子设备 热辐射 处理 方法 | ||
1.一种壳体,应用于电子设备,其特征在于,所述壳体内容置所述电子设备的电子元器件;
所述壳体包括:壳体本体、绝热介质和导热介质;其中,
所述绝热介质设置在所述壳体本体的第一侧的第一区域;
所述导热介质设置于所述壳体本体的第一侧的第二区域,所述第二区域大于所述第一区域,所述绝热介质与所述导热介质相接触;
以,
使所述绝热介质屏蔽所述电子元器件的热辐射,所述导热介质中与所述绝热介质相接触的区域接收所述热辐射,并通过所述导热介质传导所述热辐射。
2.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于,
所述第一区域与第一电子元器件的位置对应,且所述绝热介质与所述第一电子元器件之间的距离超过第一阈值,以使所述绝热介质屏蔽所述第一电子元器件的热辐射;其中,
所述第一电子元器件为所述电子元器件中单位时间热辐射值超过第二阈值的电子元器件。
3.根据权利要求2所述的壳体,其特征在于,所述第一区域的面积大于第三区域的面积,所述第三区域为所述第一电子元器件所覆盖的区域,且,
所述第三区域在所述壳体本体的第一侧的垂直投影所对应的区域为所述第一区域的子区域。
4.根据权利要求1所述的壳体,其特征在于,
在所述绝热介质与所述壳体本体的第一区域之间、以及所述导热介质与所述壳体本体的第二区域之间,还设置有刚性薄膜介质;其中,
所述刚性薄膜介质在所述第一区域分别与所述绝热介质、所述壳体本体的第一侧贴合;
所述刚性薄膜介质在所述第二区域分别与所述导热介质、所述壳体本体的第一侧贴合。
5.根据权利要求1至4任一项所述的壳体,其特征在于,
在所述壳体本体的第一侧的第一区域、所述绝热介质之间还设置有导热介质,以使所述导热介质中与所述绝热介质相接触、且未被所述绝热介质覆盖的区域接收所述热辐射。
6.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1至5任一项所述的壳体。
7.一种热辐射处理方法,应用于包括壳体的电子设备中,所述壳体内容置所述电子设备的电子元器件;其特征在于,所述壳体包括:壳体本体、绝热介质和导热介质;所述方法包括:
在所述壳体本体的第一侧的第一区域设置所述绝热介质;
在所述壳体本体的第一侧的第二区域设置所述导热介质,所述绝热介质与所述导热介质相接触,所述第二区域大于所述第一区域;
以,
使所述绝热介质屏蔽所述电子元器件的热辐射,所述导热介质中与所述绝热介质相接触的区域接收所述热辐射,并通过所述导热介质传导所述热辐射。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述壳体本体的第一侧的第一区域设置所述绝热介质,包括:
在所述壳体本体的第一侧的第一区域设置所述绝热介质,且所述第一区域与第一电子元器件的位置对应,所述绝热介质与所述第一电子元器件之间的距离超过第一阈值,以使所述绝热介质屏蔽所述第一电子元器件的热辐射;
其中,所述第一电子元器件为所述电子元器件中单位时间热辐射值超过第二阈值的电子元器件。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一区域的面积大于第三区域的面积,所述第三区域为所述第一电子元器件所覆盖的区域,且,
所述第三区域在所述壳体本体的第一侧的垂直投影所对应的区域,为所述第一区域的子区域。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述绝热介质与所述壳体本体的第一区域之间、以及所述导热介质与所述壳体本体的第二区域之间,设置刚性薄膜介质;其中,
所述刚性薄膜介质在所述第一区域分别与所述绝热介质、所述壳体本体的第一侧贴合;
所述刚性薄膜介质在所述第二区域分别与所述导热介质、所述壳体本体的第一侧贴合。
11.根据权利要求7至10任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述壳体本体的第一侧的第一区域设置所述绝热介质,在所述壳体本体的第一侧的第二区域设置所述导热介质,包括:
在所述壳体本体的第一侧的第一区域和第二区域设置所述导热介质,并在所述第一区域设置的导热介质之上设置所述绝热介质,以使所述导热介质中与所述绝热介质相接触、且未被所述绝热介质覆盖的区域接收所述热辐射。
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