[发明专利]一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构有效
申请号: | 201410086771.7 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN103887711B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 郑婉华;郭小杰;王宇飞;齐爱谊;刘磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/42 | 分类号: | H01S5/42;H01S5/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大面 相干 光子 晶体 发射 激光 光源 结构 | ||
1.一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构,其特征在于,包括:光子晶体阵列,其由位于中心的中心光子晶体和围绕所述中心光子晶体对称分布的多个边缘光子晶体形成的多个阵列结构组成;其中,所述中心光子晶体和边缘光子晶体具有完全相同的结构;所述中心光子晶体和边缘光子晶体为正六边形光子晶体,且边缘光子晶体的数量为六个,晶格类型为三角晶格;
其中,边缘光子晶体和中心光子晶体最近距离为1-10个周期,所述周期为光子晶体中空气孔之间的排列周期。
2.如权利要求1所述的激光光源结构,其特征在于,所述中心光子晶体和边缘光子晶体由按照三角晶格方式排列的空气孔组成。
3.如权利要求1所述的激光光源结构,其特征在于,所述六个边缘光子晶体位于所述中心光子晶体的六个角位置处。
4.如权利要求1-3任一项所述的激光光源结构,其特征在于,所述光子晶体材料为InP或GaAs。
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