[发明专利]一种氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410087226.X 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN103896610A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 贾全利;刘新红;张举;赵飞;孙庚辰;李富朝 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 郑州中民专利代理有限公司 41110 代理人: 郭中民
地址: 450001 河南省郑州*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 结合 碳化硅 预制件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:

a、按重量份取矾土颗粒45~70份、莫来石颗粒0~22份、红柱石颗粒0~18份、矾土细粉0~8 份、刚玉细粉0-10份、碳化硅颗粒及细粉5-12份、纯铝酸钙水泥1~5份、二氧化硅微粉0~6份、氧化铝微粉3~8 份和硅粉3-10份,以及上述原料重量份之和的0.05-0.30份减水剂,将上述原料均匀混合,并加水搅拌均匀后振动浇注成型,制成预制件坯体;

b、将a步骤制备的预制件坯体置于25-50℃的环境中养护12-24h后脱模,在300℃的条件下进行干燥处理,之后自然冷却到室温;

c、将经b步骤处理后的预制件坯体置于氮化炉中进行氮化烧成,在纯度≥99.9%的流动氮气气氛下,以30-150℃/小时的速率升温至1150~1180℃,保温1-8h;以20-100℃/小时的速率升温至1220-1260℃,保温2-10小时;以20-100℃/小时的速率继续升温至1350℃保温1-8小时;最后以30-120℃/小时的速率升温至1370-1480℃,保温3-12小时;冷却至600℃时关闭氮气,继续冷却至室温后,即得到 氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件,预制件中氧氮化硅的重量份数为8-35%。

2.根据权利要求1所述的氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法,其特征在于:由矾土颗粒、莫来石颗粒、红柱石颗粒共同构成的颗粒料中,粒径为8-1mm粗颗粒的重量百分比为64~72%、粒径为1-0.08mm的中颗粒的重量百分比为28~36%;所述细粉的粒径小于0.088mm;所述微粉的粒径小于5μm 。

3.根据权利要求1所述的氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法,其特征在于:所述硅粉纯度的重量比为:Si>98.0%。

4.根据权利要求1所述的氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法,其特征在于:碳化硅颗粒和细粉纯度的重量比为:SiC≥95%, 其中颗粒的重量百分比为0~40%、细粉的重量百分比为60~100%。

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