[发明专利]用于化学-机械抛光的方法和装置

说明书

本申请公开了用于化学‑机械抛光的方法和装置。按照某些实施例，一种方法可以利用，其包括在读取叠层上沉积回填材料层；在所述回填材料层之上沉积化学机械抛光停止层；以及在所述化学机械抛光停止层上沉积牺牲层。

技术领域

本发明涉及用于化学-机械抛光的方法和装置。

背景技术

在半导体制造中，即使小的拓扑结构也会影响器件的性能。例如，在使用磁性材料的设备中，小的拓扑结构可影响设备的磁特性。作为一个示例，可使用半导体加工来制造在盘驱动器中使用的读取磁头。读取磁头可以利用材料多个不同的的层以便形成所需配置的读取叠层(或读取传感器)。读取叠层是经配置以感测磁场变化的读取头的一部分。因而，在操作期间，读取叠层可以感测邻近置于读取叠层的磁性介质的磁场中的变化。如果拓扑残存留在用于制造读取磁头的处理步骤之后，取决于拓扑残余的大小、位置和材料，该拓扑残存可能影响读取磁头的磁特性。

发明内容

提供本概述以采用简化形式介绍理论的选择，该理论在详细说明中进一步描述。本概述并不旨在标识所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护主题的范围。根据各种实施方式的以下更具体的书面详细描述，其他特征、细节、使用和所要求保护主题的优点可将变得明显，所述各种实施方式在附图中进一步示出并在所附权利要求中限定。

根据某些实施例，一种装置包括读取叠层；置于接近所述读取叠层的回填层；配置于回填层上的化学-机械抛光停止层；以及置于所述化学-机械抛光停止层上的牺牲层。

根据某些实施例，一种方法可以利用，其包括：在读取叠层上沉积回填材料层；在所述回填材料层之上沉积化学机械抛光停止层；以及在所述化学机械抛光停止层上沉积牺牲层。

这些和各种其它特征将从下面详细描述中变得显而易见。

附图说明

可通过参考附图进一步地理解本技术的性质和优点，附图将在说明书的剩余部分中描述。

图1示出根据某些实施例，具有长SAF读取磁头的横截面放大视图的盘驱动器系统的示例性框图，该长SAF读取磁头具有实质线性后边缘。

图2示出根据某些实施例，在长SAF读取磁头的处理过程中除去回填材料的横截面图。

图3示出根据某些实施例，在长SAF读取磁头的处理过程中的剖视图，其中回填材料已被移除以暴露光致抗蚀剂的侧面。

图4示出根据某些实施例，在长SAF读取磁头的处理过程中的剖视图，其中光致抗蚀剂已被除去以暴露回填地形残余。

图5示出根据特定实施例，在长SAF读取磁头的处理过程中的剖视图，其中已去除回填残余。

图6示出根据某些实施例，在长SAF读取磁头的处理过程中的剖视图，其中在实质平面的回填层上已形成屏蔽层。

图7示出表示根据某些实施例准备中间结构用于化学机械抛光的方法的流程图。

图8示出表示根据某些实施例准备中间结构用于化学机械抛光的方法的另一流程图。

具体实施方式

本文在用于盘驱动器系统的读取磁头的环境中公开当前技术的实施例。然而，应当理解：本技术不限于磁盘驱动器系统的读取磁头并也可容易地应用到其它的技术系统。

现在参考图1，示出了根据实施例的盘驱动器系统的示例。盘驱动器系统仅是其中可使用所公开技术的示例。图1示出示例盘驱动器系统的透视图100。盘102在操作过程中绕主轴中心或旋转104的盘轴旋转。盘102 包括之间是多个同心数据磁道110的内径106和外径108。数据磁道110 实质上是圆形的。然而，应当理解：所描述的技术可以用于其它类型的存储介质。