[发明专利]插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种插入匀化电流结构的发光器件，包括：

第一电极层；

在所述第一电极层上的p型简并半导体层；

在所述p型简并半导体层上的n型简并半导体层；

在所述n型简并半导体层上的p型半导体层；

在所述p型半导体层上的有源层；

在所述有源层上的n型半导体层；以及

在所述n型半导体层上的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述p型简并半导体层与所述n型简并半导体层在界面处形成第一隧穿pn结。

3.根据权利要求2所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述第一隧穿pn结在所述发光器件开启时处于正向偏置状态。

4.根据权利要求1所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述n型简并半导体层与所述p型半导体层在界面处形成第二隧穿pn结。

5.根据权利要求4所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述第二隧穿pn结在所述发光器件开启时处于反向偏置状态。

6.一种插入匀化电流结构的发光器件，包括：

第一电极层；

在所述第一电极层上的n型简并半导体层；

在所述n型简并半导体层上的p型简并半导体层；

在所述p型简并半导体层上的n型半导体层；

在所述n型半导体层上的有源层；

在所述有源层上的p型半导体层；以及

在所述p型半导体层上的第二电极层。

7.根据权利要求6所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述n型简并半导体层与所述p型简并半导体层在界面处形成第一隧穿pn结。

8.根据权利要求7所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述第一隧穿pn结在所述发光器件开启时处于正向偏置状态。

9.根据权利要求6所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述p型简并半导体层与所述n型半导体层在界面处形成第二隧穿pn结。

10.根据权利要求9所述的插入匀化电流结构的发光器件，其中所述第二隧穿pn结在所述发光器件开启时处于反向偏置状态。

11.一种插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，包括：

取一n型半导体，在n型半导体下表面形成第一电极层；

在所述的n型半导体上表面形成n型简并半导体层；

在所述的n型简并半导体层上形成p型简并半导体层；

在所述的p型简并半导体层上形成n型半导体层；

在所述的n型半导体层上形成有源层；

在所述的有源层上形成p型半导体层；

在所述的p型半导体层上形成第二电极层。

12.一种插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，包括：

在衬底上依次形成n型半导体层、有源层、第二简并p型半导体、简并n型半导体和第一简并p型半导体；

在第一简并p型半导体上形成第一电极层；

移除衬底，并将外延片旋转180度进行衬底转移；以及

在n型半导体层上形成第二电极层。

13.根据权利要求12所述的插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，其中衬底是由Si、SiC、GaAs、InP、蓝宝石(Al₂O₃)、ZnO、MgO和金刚石中的至少一种形成，有源层是单量子阱结构或多量子阱结构。

14.根据权利要求12所述的插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，其中第一电极层同时起到导电、支撑衬底的作用，由镍(Ni)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、钨(W)中的至少一种形成。

15.一种插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，包括：

在衬底上依次形成n型半导体层、有源层、第二简并p型半导体、简并n型半导体和第一简并p型半导体；

在第一简并p型半导体上形成第一电极层；以及

在衬底背面形成第二电极层。

16.根据权利要求15所述的插入匀化电流结构的发光器件的制造方法，其中衬底是能传导电流的，有源层是单量子阱结构或多量子阱结构。