[发明专利]透射型靶、放射线产生管、放射线产生设备和放射线照相系统

权利要求书

1.一种透射型靶，包括：

靶层，所述靶层被配置用于在电子照射时产生X射线，所述靶层包含靶金属；

含碳区域，所述含碳区域包含sp2键；以及

金刚石基板，所述金刚石基板被配置用于支撑所述靶层，

其中，所述含碳区域被定位在所述靶层和所述金刚石基板之间。

2.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述含碳区域包含碳化合物或者金刚石的同素异形体，所述碳化合物包含处于环状、线状或三维网状主链中的sp2键，所述同素异形体包含sp2键。

3.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述含碳区域包含从非晶碳、玻璃碳、类金刚石碳、石墨烯、石墨、碳纳米管、石墨纳米纤维和富勒烯中选择的至少一个。

4.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述含碳区域形成所述金刚石基板的一部分，并且

所述sp2键得自所述金刚石基板中的sp3键中的至少一些sp3键的热结构变化，所述sp3键被定位在所述金刚石基板的靶层侧。

5.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述含碳区域是定位在所述靶层和包含sp3键的区域之间的连续层，所述区域是所述金刚石基板的一部分。

6.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，在靶层的厚度方向上，所述含碳区域的厚度为靶层的厚度的0.005倍到0.1倍。

7.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶金属是选自由钽、钨和钼构成的组的至少一种金属。

8.一种透射型靶单元，包括：

根据权利要求1-7中任一项所述的透射型靶；以及

阳极部件，所述阳极部件连接到所述金刚石基板的周边并且与所述靶层电连接。

9.一种放射线产生管，包括：

根据权利要求8所述的透射型靶单元；

电子发射源，所述电子发射源包括被设置为面对所述靶层的电子发射部；以及

外壳，在所述外壳的内部空间中或者在所述外壳的内表面上容纳所述电子发射部和所述靶层。

10.一种放射线产生设备，包括：

根据权利要求9所述的放射线产生管，以及

驱动电路，所述驱动电路与所述靶层和所述电子发射部电连接，并且被配置用于输出要被施加在所述靶层和所述电子发射部之间的管电压。

11.一种放射线照相系统，包括：

根据权利要求10所述的放射线产生设备；以及

放射线检测器，所述放射线检测器被配置用于检测已被从所述放射线产生设备释放的并且已通过样本的放射线。

12.一种透射型靶的制造方法，包括：

靶层形成步骤，在金刚石基板的一个表面上形成靶层；以及

sp2键形成步骤，形成包含sp2键的含碳区域，所述含碳区域与所述靶层的金刚石基板侧接触。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述靶层形成步骤包括在所述金刚石基板的一个表面上形成金属层的步骤，所述金属层包括靶金属，并且

所述sp2键形成步骤包括加热步骤，所述加热步骤至少加热所述金刚石基板以便将在所述金刚石基板的所述表面中含有的sp3键中的至少一些转性成sp2键。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述加热步骤在所述形成金属层的步骤之后执行，或者与所述形成金属层的步骤同时执行。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述加热步骤在所述形成金属层的步骤之前执行。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述加热步骤在真空气氛或者惰性气体气氛中执行。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述加热步骤在大于或等于650℃且小于或等于2000℃的温度执行。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述sp2键形成步骤是通过在所述金刚石基板的所述一个表面上形成包含sp2键的含碳层而执行的。

19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述sp2键形成步骤包括在所述金刚石基板的所述一个表面上形成包含sp3键的含碳膜的步骤以及至少加热所述含碳膜以便将所述含碳膜转性成包含sp2键的含碳层的步骤。