[发明专利]TaCN硬质纳米结构薄膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410089147.2 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN103952672B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 喻利花;许俊华;黄婷 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: tacn 硬质 纳米 结构 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种涂层及其制备方法,特别是一种TaCN硬质纳米结构薄膜及制备方法,属于陶瓷涂层技术领域。

背景技术

随着现代加工技术的发展,特别是高速、干式切削等加工方式的出现,要求应用于刀具的涂层具有更高的硬度,并兼具优良的摩擦磨损性能。然而,现有的刀具涂层虽然具有较高硬度,但它们的摩擦磨损性能都不理想,无法满足要求。氮化钽(TaN)薄膜具有高熔点、高导电性、良好的化学稳定性等优异性能,可广泛用于集成电路构件、薄膜电阻器等中。溅射法制备的TaN薄膜硬度高达到22GPa,但其摩擦系数较高,约为0.7,与现代加工技术所要求的高硬度耐磨涂层如TiN相比,TaN薄膜摩擦磨损性能较差,因而市场上没有发现二元的TaN薄膜用作切削刀具的保护涂层。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种TaCN硬质纳米结构薄膜及制备方法,克服现有TaN系硬质纳米结构复合膜及多层膜摩擦磨损性能不理想等缺点,具有较高生产效率,兼具高硬度和优异的摩擦磨损性能,可作为高速、干式切削的纳米结构硬质薄膜。

本发明是通过以下技术方案实现的:

一种TaCN硬质纳米结构薄膜,是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的,薄膜分子式表示为Ta(C,N),厚度在1-3μm,当Ta靶功率为100W,C靶功率大于50W时,薄膜中形成了非晶C和CNx。

一种TaCN硬质纳米结构薄膜的制备方法,其特征在于,利用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基体上沉积TaCN硬质纳米结构薄膜,沉积时,真空度优于3.0×10-3Pa,以氩气起弧,氮气为反应气体进行沉积,溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:(2-5),Ta靶溅射功率80-150W,C靶溅射功率0-120W较佳。当Ta靶溅射功率100W,C靶溅射功率0~80W,较佳为20-80W,更佳40-60W,最佳为50W,当C靶功率为50W时,薄膜的硬度高达29.6GPa,干切削实验下,摩擦系数和磨损率为0.35和4.23×10-7mm2/N。

前述的TaCN硬质纳米结构薄膜的制备方法,其特征在于,在基体上预先沉积纯Ta作为过渡层。

本发明的TaCN硬质纳米结构薄膜是采用高纯Ta靶和C靶共焦射频反应溅射,沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到的,薄膜厚度在1-3μm,溅射反应过程中,C靶功率在0W~80W之间,当C靶功率为50W时,薄膜的硬度高达29.6GPa,干切削实验下,摩擦系数和磨损率为0.35和4.23×10-7mm2/N,这种硬质涂层综合具备了高硬度,高耐磨性的优良特点。

附图说明:

图1为本发明不同C靶功率TaCN薄膜的红外光谱;Ta靶溅射功率100W,C靶功率大于50W时,在1400cm-1~1600cm-1之间出现了石墨相吸收峰;在2250cm-1附近出现了C≡N吸收峰(所以,本发明根据薄膜的主要成分C、N、Ta,命名为碳氮化钽TaCN);

图2为本发明TaCN薄膜硬度(GPa)与C靶功率(W)的变化关系;随C靶功率的增加,薄膜的显微硬度显著升高,当C靶功率为50W时,硬度最高为29.6GPa,C靶功率大于50W时,随着C靶功率提高,薄膜的显微硬度逐渐下降;

图3为本发明TaCN薄膜干切削实验下平均摩擦系数及磨损率与C靶功率的变化关系,可见,TaCN薄膜的摩擦系数和磨损率随C靶功率的增加而减小,当C靶功率为50W时,摩擦系数和磨损率为0.35和4.23×10-7mm2/N。

具体实施方法

本发明的制备方法,具体如下:

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