[发明专利]一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法

权利要求书

1.一种极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：a）原料选备，b）配制糊状绝缘体，c）挤出包覆，d）热固烧结。

2.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤a）中，绝缘体的主要成分为：聚四氟乙烯、玻璃纤维、石墨粉和相关助剂；助剂中的增塑剂选用DOP或DBP、相容剂选用环状酸酐型或恶唑啉型相容剂、交联剂选用2-乙基-4甲基咪唑或二甲胺基丙胺、粘度调节剂选用石蜡或微晶蜡，四种助剂的含量配比约为4:2:1:3。

3.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤b）中，制备过程如下：首先，将原料加入反应釜，均匀搅拌30-40分钟，反应釜温度控制在60℃-80℃；然后，向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂，反应釜温度升至100℃-120℃，均匀搅拌1-1.2小时；最后，将反应釜温度降至80℃-90℃，继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂，搅拌50-60分钟。

4.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤c）中，挤出包覆过程如下：首先，将糊状绝缘体导入挤出机，挤出机温度控制在70℃-80℃；然后，将糊状绝缘体均匀挤出，包覆在导体外表面形成包覆层，挤出机的挤出速度控制在0.3-0.35m/min，包覆层厚度控制在0.09-0.1mm；最后，将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却。

5.根据权利要求1所述的极细同轴电缆中绝缘体的制备方法，其特征在于，所述的步骤d）中，制备过程如下：首先，进行干燥处理，温度控制在130℃-140℃，时间控制在30-35分钟；然后，进行烧结处理，烧结炉温度划分为两个阶段：第一阶段的温度从0℃提升至180℃，升温速度控制在6℃/min，烧结时间约为28-30分钟；第二阶段的温度从180℃提升至360℃，升温速度控制在4℃/min，烧结时间约为38-40分钟；最后，将烧结成品在烧结炉中缓冷至室温。