[发明专利]集成电路中的电容器及其制造方法有效
申请号: | 201410090637.4 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104051233B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | M·勒纳;S·阿里苏 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 中的 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造电容器阵列的方法,所述方法包括:
形成包括串联耦合的第一电容器元件和第二电容器元件的第一列;以及
形成包括串联耦合的第三电容器元件和第四电容器元件的第二列,其中所述第一列与所述第二列并联耦合,其中所述第二电容器元件被放置在金属化层内的所述第一电容器元件和所述第四电容器元件之间,其中所述第四电容器元件被放置在所述金属化层内的所述第二电容器元件和所述第三电容器元件之间;
所述第一电容器元件包括第一板和第二板;
所述第二电容器元件包括第三板和第四板;
所述第一板通过第一电阻器耦合至所述第二板;以及
所述第三板通过第二电阻器耦合至所述第四板。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二板和所述第三板包括公共的金属线。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述公共的金属线是浮动的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述电容器阵列包括放置在工件上方的所述第一电容器元件和所述第二电容器元件下方的多晶硅线,其中所述第一电阻器包括所述多晶硅线的第一部分,并且其中所述第二电阻器包括所述多晶硅线的第二部分。
5.一种制造装置的方法,所述方法包括:
提供包括具有第一电容量和第一面积的单个电容器的第一电路设计;
通过用电容器阵列替换所述单个电容器而产生第二电路设计,所述电容器阵列包括:
多个列,所述多个列包括串联的电容器元件,所述多个列并联耦合以形成多个行,其中所述多个列中的每个电容器元件的电容量具有的值等于或小于所述第一电容量的值,其中所述多个列中的每个电容器元件具有的面积小于所述第一面积;以及
用包括在工件上方的金属化层中的所述电容器阵列的所述第二电路设计来制造电路。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述多个行中的行的数目与所述多个列中列的数目相同。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述电容器阵列是竖直平行板电容器阵列。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述电容器阵列的总面积等于所述单个电容器的总面积。
9.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一电路设计包括耦合至所述单个电容器的其它电路系统,并且其中所述第二电路设计包括以与所述单个电容器相同的方式耦合至所述电容器阵列的其它电路系统。
10.一种制造装置的方法,所述方法包括:
提供包括具有第一电容量的单个电容器的第一电路设计;
通过用电容器阵列替换所述单个电容器而产生第二电路设计,所述电容器阵列包括:
多个列,所述多个列包括串联的电容器元件,所述多个列并联耦合以形成多个行,其中所述多个列中的每个电容器元件的电容量具有所述第一电容量乘以换算系数的值,其中所述换算系数是所述多个列中的一列中的元件的总数量除以所述多个行的一行中的元件的总数量;以及
用包括工件上方的金属化层中的所述电容器阵列的所述第二电路设计来制造电路。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述单个电容器具有第一面积,并且其中所述多个列中的每个电容器元件具有的面积小于所述第一面积。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述电容器阵列的总面积等于所述单个电容器的总面积。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述电容器阵列是竖直平行板电容器阵列。
14.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一电路设计包括耦合至所述单个电容器的其它电路系统,并且其中所述第二电路设计包括以与所述单个电容器相同的方式耦合至所述电容器阵列的其它电路系统。
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