[发明专利]一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法有效
申请号: | 201410090749.X | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN103887352A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 刘锋;郝英华;赵晓静;宋聪欣;陈陆懿;石旺舟 | 申请(专利权)人: | 上海师范大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 刘懿 |
地址: | 200234 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 结构 金属 石墨 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合结构的金属石墨烯,其特征在于,所述金属石墨烯由双联通分相结构的纳米多孔金和石墨烯薄膜组成,石墨烯薄膜覆盖在纳米多孔金上。
2.根据权利要求1所述的复合结构的金属石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)纳米多孔金的制备:
用浓硝酸湿法刻蚀金银合金薄膜,用去离子水清洗合金薄膜,再用硅片捞出去离子水中的金属薄膜,即具有双联通分相结构的纳米多孔金;
(2)石墨烯至纳米多孔金上的转移:
在铜衬底上制备石墨烯,在石墨烯上涂覆PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)薄膜,刻蚀覆有石墨烯的铜基底,当铜基底被完全溶解后,用纳米多孔金捞出涂覆有PMMA薄膜的石墨烯,清洗后烘干,去除PMMA,再次烘干,得复合结构的金属石墨烯。
3.根据权利要求1所述的复合结构的金属石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,在铜衬底上制备石墨烯的方法为化学气相沉积方法。
4.根据权利要求1所述的复合结构的金属石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,在石墨烯上涂覆PMMA薄膜的方法为旋涂法。
5.根据权利要求1所述的复合结构的金属石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,去除PMMA的方法为使用丙酮。
6.根据权利要求1所述的复合结构的金属石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,蚀刻铜基底的蚀刻液为硫酸铜、浓硫酸、水按1g:5mL:5mL比例配制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海师范大学,未经上海师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410090749.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光纤着色芯线、光纤带芯线和光纤光缆
- 下一篇:一种芭蕉根的质量检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的