[发明专利]三层结构的有机硅合成革及其制备方法

权利要求书

1.一种三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述有机硅合成革由基材、底层胶和面层胶依次粘合而成；

所述底层胶包括以下质量百分数的组分：

所述面层胶包括以下质量百分数的组分：

其中：所述含乙烯基的聚二甲基硅氧烷为至少两个乙烯基直接与Si相连的聚二甲基硅氧烷，所述乙烯基位于链端和/或侧链；

所述含Si-H基交联剂为至少有3个氢原子与Si直接相连的聚二甲基硅氧烷，所述氢原子位于链端和/或侧链，所述氢原子含量为0.1～1.6%；所述含Si-H基交联剂为直链状、枝状、环状或其混合物；

所述嵌段型有机硅树脂为结构为R_nSiX_4-n的有机硅单体混合物的水解预聚体与结构为X(R₂SiO)_mX的线性聚硅氧烷进行缩聚反应而得到的共聚物；其中n=0,1,2,3；m=100～1000；R3SiX链节与SiX₄链节的摩尔比为0.7～0.9，乙烯基含量为1～10%；

所述铂金催化剂为氯铂酸异丙醇溶液、氯铂酸四氢呋喃溶液、氯铂酸-二乙烯基四甲基二硅氧烷配合物、或氯铂酸-1、3、5、7-四乙烯基-1、3、5、7-四甲基-环四硅氧烷配合物，所述铂金催化剂中Pt原子的含量为100～500000ppm；

所述抑制剂为甲基丁炔醇、乙炔基环己醇、含炔基的马来酸或其衍生物、含炔基的富马来酸或其衍生物、多乙烯基聚硅氧烷、吡啶、不饱和酰胺类、有机膦或亚磷酸酯；

所述填料为疏水或亲水二氧化硅、气相法二氧化硅、疏水气相法白炭黑、二氧化钛、碳酸钙、铝硅酸盐、氧化铝、氢氧化铝、氢氧化镁或其混合物；

所述增粘剂为γ―(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ―(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷基)乙基三乙氧基硅烷、或其组合物、或上述化合物或组合物的部分水解物；

所述促进剂为金属螯合物、钛酸酯、锆酸酯、或Zn、Ba、Ca、Mn的羧酸盐、或上述化合物的混合物；

所述色膏为以乙烯基聚二甲基硅氧烷为分散介质的颜料；

所述有机溶剂为C₅～C₃₀的烷烃和/或芳烃、C₅～C₃₀的醚和/或酯、或上述化合物的混合物、或八甲基环四硅氧烷。

2.根据权利要求1所述的三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述底层胶中组分含量为：基胶80%、含乙烯基的聚二甲基硅氧烷5%、含Si-H基交联剂7%；所述面层胶中组分含量为：嵌段型有机硅树脂30%、含Si-H基交联剂5%、有机溶剂50%。

3.根据权利要求1或2所述的三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述基胶为重量比为20～40：60～80的气相法二氧化硅与乙烯基硅油于捏合机中混合，其间采用六甲基硅氮烷、水和0.1～3%的羟基含量3～15%的小分子羟基硅油处理气相法二氧化硅表面的硅羟基而得。

4.根据权利要求1或2所述的三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述含Si-H基交联剂的氢原子位于侧链，所述氢原子含量为0.2～0.75%。

5.根据权利要求1或2所述的三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述嵌段型有机硅树脂中线性聚硅氧烷X(R₂SiO)_mX的m=100-800。

6.根据权利要求5所述的三层结构的有机硅合成革，其特征在于，所述嵌段型有机硅树脂中线性聚硅氧烷X(R₂SiO)_mX的m=500-600。