[发明专利]用于信号丢失检测的装置和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

检测电路，其配置为监控输入，其中所述检测电路包括：

第一增益电路，其与所述输入可操作地耦合且配置为提供从输入到输出的增益以产生放大信号，其中所述第一增益电路配置为对于小于第一电平的输入信号电平至少提供第一增益量，其中所述第一增益电路配置为对于高于第二电平的输入电平饱和以自所述第一增益量减小增益而无外部增益控制调节，其中所述第二电平高于所述第一电平；

第一整流器电路，其配置为对所述放大信号进行整流以产生整流信号；

第一低通滤波器，其配置为对所述整流信号进行滤波以产生滤波信号；以及

一个或多个比较器，其配置为对所述滤波信号进行评估以判定在所述输入处差分信号的存在或不存在。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个比较器包括：

第一比较器，其包括配置为接收所述滤波信号的第一输入以及配置为接收有效决策阈值电压的第二输入；以及

第二比较器，其包括配置为接收所述滤波信号的第一输入以及配置为接收无效决策阈值电压的第二输入，其中所述有效决策阈值电压低于所述无效决策阈值电压。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述检测电路还包括：

多路复用器，其包括与所述第一比较器的输出电连接的第一输入、与所述第二比较器的输出电连接的第二输入、控制输入以及与所述控制输入电连接的输出；以及

计数器，其中所述计数器配置为对在所述多路复用器的所述输出的状态下对顺序事件的数量进行计数，并且基于结果来产生检测信号。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述计数器包括可数字配置计数值。

5.如权利要求2所述的装置，其中所述检测电路还包括：

数字模拟转换器（DAC）；

第二增益电路；

第二整流器电路；

第二低通滤波器，其中所述第二增益电路、所述第二整流器电路和所述第二低通滤波器连接在所述DAC的第一输出和所述第一比较器的所述第二输出之间的第一电路径中；

第三增益电路；

第三整流器电路；以及

第三低通滤波器，其中所述第三增益电路、所述第三整流器电路和所述第三低通滤波器连接在所述DAC的第二输出和所述第二比较器的所述第二输出之间的第二电路径中，

其中所述DAC配置为基于第一数字控制信号来控制所述有效决策阈值电压的电压电平，并且其中所述DAC还配置为基于第二数字控制信号来控制所述无效决策阈值电压的电压电平。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述第一增益电路包括：

第一双极晶体管，其具有发射极、基极和集电极；

第二双极晶体管，其具有发射极、基极和集电极，其中所述第二双极晶体管的所述发射极与所述第一双极晶体管的所述发射极电连接，并且其中所述第二双极晶体管的所述集电极与所述第一双极晶体管的所述基极电连接，并且其中所述第二双极晶体管的所述基极与所述第一双极晶体管的所述集电极电连接；

第一晶体管，其电连接在第一输入端子和所述第一双极晶体管的所述集电极之间；

第二晶体管，其电连接在第二输入端子和所述第二双极晶体管的所述集电极之间；以及

电流源，其配置为向所述第一和第二双极晶体管的所述发射极提供偏压电流，

其中所述第一增益电路配置为在所述第一端子和第二端子之间接收所述差分信号。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述第一增益电路包括：

第一金属氧化物半导体（MOS）晶体管，其具有源极、栅极和漏极；

第二MOS晶体管，其具有源极、栅极和漏极，其中所述第二MOS晶体管的所述源极与所述第一MOS晶体管的所述源极电连接，并且其中所述第二MOS晶体管的所述漏极与所述第一MOS晶体管的所述栅极电连接，并且其中所述第二MOS晶体管的所述栅极与所述第一MOS晶体管的所述漏极电连接；

第一电阻器，其电连接在第一输入端子和所述第一MOS晶体管的所述漏极之间；

第二电阻器，其电连接在第二输入端子和所述第二MOS晶体管的所述漏极之间；以及

电流源，其配置为向所述第一和第二MOS晶体管的所述源极提供偏压电流，

其中所述第一增益电路配置为在所述第一端子和第二端子之间接收所述差分信号。