[发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；

反应气体供给系统，其具有反应气体供给管和非活性气体供给管，其中，所述反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部，所述非活性气体供给管，其下游端连接在所述反应气体供给控制部与所述等离子体生成部之间，并且，上游端与非活性气体供给源连接，而且设有非活性气体供给控制部；

处理室，其收容被处理衬底，从所述原料气体供给系统被供给原料气体，从所述反应气体供给系统被供给反应气体；

控制部，其至少对所述原料气体供给控制部和所述反应气体供给控制部和所述非活性气体供给控制部进行控制；

所述控制部以进行第一处理气体供给工序和第二处理气体供给工序的方式进行控制，

其中，所述第一处理气体供给工序中，在衬底存在于所述处理室内的状态下，从所述原料气体供给系统对所述处理室供给所述原料气体，并且，在使所述等离子体生成部工作的状态下从所述反应气体供给系统对所述处理室供给非活性气体，

所述第二处理气体供给工序中，在衬底存在于所述处理室内的状态下，在所述第一处理气体供给工序之后，在维持所述等离子体生成部的工作以及所述非活性气体的供给的状态下，开始所述反应气体的供给。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部以反复进行所述第一处理气体供给工序和所述第二处理气体供给工序的方式进行控制。

3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

还具有第三气体供给系统，其具有第三气体供给管，该第三气体供给管上设有控制非活性气体的供给的第三气体供给控制部，所述控制部以在所述第一处理气体供给工序与所述第二处理气体供给工序之间进行从所述第三气体供给系统对所述处理室供给非活性气体的非活性气体供给工序的方式进行控制，而且，以在进行所述第一处理气体供给工序与所述第二处理气体供给工序与所述非活性气体供给工序期间，维持所述等离子体生成部的工作的方式进行控制。

4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

还具有第三气体供给系统，其具有第三气体供给管，该第三气体供给管上设有控制非活性气体的供给的第三气体供给控制部，所述控制部以在所述第一处理气体供给工序与所述第二处理气体供给工序之间进行从所述第三气体供给系统对所述处理室供给非活性气体的非活性气体供给工序的方式进行控制，而且，以在进行所述第一处理气体供给工序与所述第二处理气体供给工序与所述非活性气体供给工序期间，维持所述等离子体生成部的工作的方式进行控制。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是衬底处理装置实施的方法，所述衬底处理装置具有：

原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；

反应气体供给系统，其具有反应气体供给管和非活性气体供给管，其中，所述反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部，所述非活性气体供给管，其下游端连接在所述反应气体供给控制部与所述等离子体生成部之间，并且，上游端与非活性气体供给源连接，而且设有非活性气体供给控制部；

处理室，其收容被处理衬底，从所述原料气体供给系统被供给原料气体，从所述反应气体供给系统被供给反应气体；

控制部，其至少对所述原料气体供给控制部和所述反应气体供给控制部和所述非活性气体供给控制部进行控制；

所述半导体装置的制造方法具有：

将衬底搬入处理室的工序；

在衬底存在于所述处理室内的状态下，将原料气体从所述原料气体供给系统供给至处理室，并且，在使所述等离子体生成部工作的状态下从所述反应气体供给系统对所述处理室供给非活性气体的第一处理气体供给工序；

在衬底存在于所述处理室内的状态下，在所述第一处理气体供给工序之后在维持所述等离子体生成部的工作以及所述非活性气体的供给的状态下，开始所述反应气体的供给的第二处理气体供给工序。