[发明专利]二次电池有效
申请号: | 201410092554.9 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN104183815B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 权玟亨 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01M2/34 | 分类号: | H01M2/34;H01M2/06 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张红霞;周艳玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极组件 盖板 端子板 二次电池 绝缘构件 电连接 密封壳 法兰 壳体 周界 背离 容纳 体内 延伸 | ||
1.一种二次电池,包括:
电极组件;
容纳所述电极组件的壳体;
密封所述壳体内的所述电极组件的盖板;
在所述盖板上并电连接到所述电极组件的端子板;和
在所述盖板与所述端子板之间并接触所述盖板和所述端子板的绝缘构件,
其中所述绝缘构件具有背离所述端子板延伸的周界法兰,并且
其中所述周界法兰悬垂在所述盖板的上方。
2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述周界法兰背离所述端子板延伸,以形成所述绝缘构件的台阶状的外周界。
3.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述周界法兰围绕所述绝缘构件的整个周界延伸。
4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述周界法兰突出超过所述端子板的上表面。
5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述绝缘构件的上表面朝所述端子板向下倾斜。
6.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述端子板的一部分与所述绝缘构件隔开,以在所述端子板与所述绝缘构件之间限定槽。
7.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述周界法兰的端部是不接触所述二次电池的任何其他部件的自由端。
8.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述绝缘构件的上表面与所述端子板的上表面齐平或从所述端子板的所述上表面凹进。
9.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述周界法兰背离所述绝缘构件的侧表面和上表面突出。
10.根据权利要求9所述的二次电池,其中所述端子板的一部分与所述绝缘构件隔开,以在所述端子板与所述绝缘构件之间限定槽。
11.一种二次电池,包括:
电极组件;
容纳所述电极组件的壳体;
密封所述壳体内的所述电极组件的盖板;
在所述盖板上并电连接到所述电极组件的端子板;和
在所述盖板与所述端子板之间的绝缘构件,
其中所述端子板的一部分与所述绝缘构件隔开,以在所述端子板与所述绝缘构件之间形成槽,并且
其中所述槽形成在所述端子板的与所述绝缘构件相邻的边界区域中。
12.根据权利要求11所述的二次电池,其中所述槽在所述绝缘构件与所述端子板之间仅部分延伸。
13.根据权利要求11所述的二次电池,其中所述绝缘构件具有朝所述端子板倾斜的内周界表面。
14.根据权利要求13所述的二次电池,其中所述倾斜的内周界表面延伸到所述槽。
15.根据权利要求11所述的二次电池,其中所述绝缘构件的上表面突出超过所述端子板的上表面。
16.根据权利要求11所述的二次电池,其中所述绝缘构件包括法兰,该法兰背离所述端子板延伸,以形成所述绝缘构件的台阶状的外周界。
17.一种二次电池,包括:
电极组件;
容纳所述电极组件的壳体;
密封所述壳体内的所述电极组件的盖板;
在所述盖板上并电连接到所述电极组件的端子板;和
在所述盖板与所述端子板之间并接触所述盖板和所述端子板的绝缘构件,
其中所述绝缘构件具有倾斜的上表面,
其中所述绝缘构件的所述上表面朝所述端子板向下倾斜,并且
其中所述绝缘构件的所述上表面的邻近所述端子板的边缘在所述端子板的上表面的下方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410092554.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。