[发明专利]低温薄膜结晶方法以及由其制备的产品

权利要求书

1.制造至少部分结晶的薄膜的方法，所述方法包括：

引导多个结晶纳米颗粒至衬底；

将非晶形材料的薄膜沉积在所述多个结晶纳米颗粒的至少一部分上；并且

诱导所述薄膜非晶形材料的至少一部分结晶。

2.权利要求1所述的方法，其中所述衬底是导电聚合物。

3.权利要求1所述的方法，其中所述诱导结晶提供所述非晶形材料的横向外延生长。

4.权利要求1所述的方法，其中所述诱导结晶是所述非晶形材料的异相成核。

5.权利要求1所述的方法，其中所述多个结晶纳米颗粒的一个或多个是Janus颗粒。

6.权利要求1所述的方法，其中所述非晶形材料的薄膜包括金属氧化物、金属氮化物、氮化硼、氮化硅或金刚石的一种或多种。

7.权利要求1所述的方法，其中所述非晶形材料的薄膜包括一种或多种半导体材料。

8.权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤包括等离子体增强沉积技术。

9.权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤包括物理气相沉积技术。

10.权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤包括常压等离子体沉积技术。

11.权利要求1所述的方法，其中所述诱导结晶包括以少于能够引起所述衬底的化学、熔化或结构变化的量施加热。

12.权利要求1所述的方法，其中所述引导多个结晶纳米颗粒提供在所述衬底的至少一部分上，并且提供所述多个结晶纳米颗粒的至少一部分的有序排列。

13.权利要求1所述的方法，其中所述多个结晶纳米颗粒的至少一部分的有序排列在所述多个结晶纳米颗粒和所述衬底之间的界面处提供引晶形式。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法制成的部分结晶薄膜。