[发明专利]一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装结构有效
| 申请号： | 201410094355.1 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103904396A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王绍东;高艳红;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P3/16 | 分类号： | H01P3/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 siw 毫米波 芯片 气密性 封装 结构 | ||
1.一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于包括自上而下依次密封连接的底座（6）、LTCC基板、密封环（2）以及盖板（1）；其中
底座（6）的中央设有烧结毫米波芯片的凸台（3）；
LTCC基板绕凸台（3）四周设置，且由上下排列的陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）组成，陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）的上表面都涂有金属层，所述信号传输层（5）其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；
密封环（2）位于陶瓷腔体层（4）的上部；
盖板（1）位于密封环（2）的上方，两者密封配合。
2.根据权利要求1所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于信号传输层（5）中SIW结构的两边的边宽至少为4.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于信号传输层（5）由4层LTCC带料烧结而成，每层的厚度为0.097mm。
4.根据权利要求1或2所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于密封环（2）的边宽小于或等于陶瓷腔体层（4）的边宽。
5.根据权利要求1或2所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于所述密封环（2）为可伐环。
6.根据权利要求1所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于所述密封环（2）采用与LTCC基板的热膨胀系数相近的可伐材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于所述底座（6）的材料为钨铜、钼铜或无氧铜材料。
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