[发明专利]一种生物自反馈的睡眠监护磁疗仪无效

专利信息
申请号: 201410095066.3 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN103893915A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 周鹏;赵云龙;宋鹏;王玥;王学民 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: A61N2/04 分类号: A61N2/04;A61B5/02;A61B5/145;A61B5/0402;A61B5/0476
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 温国林
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 生物 反馈 睡眠 监护 磁疗
【说明书】:

技术领域

发明涉及磁疗仪领域,尤其涉及一种生物自反馈的睡眠监护磁疗仪。

背景技术

睡眠是人类最为重要的生理活动之一,是人类认知、代谢、免疫等功能正常运转不可或缺的重要生理过程。睡眠不足是对人体健康的一种潜在威胁。失眠的人,由于长期处于睡眠不足状态,严重引起感知方面变化,例如:视野变化、幻视、免疫功能降低、消化功能和性功能减退、记忆力下降、脾气变得暴躁、性格改变、也会诱发高血压、冠心病、中风、糖尿病,妇女导致皮肤干燥、月经失调等疾病。

现在市场上的以磁场方式促进睡眠的医疗器械很多,但是治疗模式单一,多以固定强度和频率的磁场对患者进行治疗,且治疗模式为开环模式,即在治疗过程中没有来自患者的生理反馈使仪器自主调节治疗过程;对于不同患者的治疗采用单一固定治疗模式,治疗效果欠佳。

发明内容

本发明提供了一种生物自反馈的睡眠监护磁疗仪,该睡眠监护磁疗仪采用多种治疗手段共同参与治疗失眠症,以达到快速治疗失眠症的目的,详见下文描述:

一种生物自反馈的睡眠监护磁疗仪,包括:上位机系统、下位机系统和生理参数监护系统,所述生理参数监护系统采集多项生理数据通过外部扩展接口传输到所述上位机系统中,并实时反馈到所述下位机系统中,对磁场进行调节;其中,所述下位机系统包括:单片机控制电路、磁场产生电路和多个线圈,

所述上位机系统将治疗方案传输至所述单片机控制电路,所述单片机控制电路将所述治疗方案转换为脉冲信号并存储,通过所述脉冲信号控制所述磁场产生电路的充放电,使得所述线圈产生不同强度、0-40Hz频率可调的脉冲磁场。

所述生理参数监护系统用于采集脉搏信号、血氧信号、心电信号和脑电信号。

所述磁场产生电路包括:第一电容,

所述第一电容外接继电器,所述继电器连接所述单片机控制电路,所述单片机控制电路产生脉冲信号直接控制所述继电器的开关,通过控制所述继电器的输出电压来控制磁场强度;

所述第一电容分别连接第一二极管的阴极、第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极接所述线圈和第二电容的正极,所述线圈连接可控硅,所述可控硅通过外接的光电隔离电路与所述单片机控制电路的I/O口相连来控制磁场频率。

本发明提供的技术方案的有益效果是:该睡眠监护磁疗仪用于治疗由神经心理因素引起的入睡困难、睡眠深度不足、早醒、睡眠时间不足以及睡眠质量差等源发慢性失眠症,治疗过程采用磁刺激的方式,磁场模式灵活多变可调节,通过仪器测量患者的多项生理数据可以实时反馈到上位机系统来调节磁场变化模式,从而适应当前病人的生理状态,来达到快速诱导患者进入睡眠状态的目的,效果如下:

1)采用单片机控制产生10种不同强度、0-40HZ之间频率可调的脉冲磁场,使得本仪器的治疗模式灵活多变,适用于由多种原因引起的多种类型失眠症。

2)线圈设计上,产生的磁场能够达到理想的穿透深度,为治疗提供了有效保证。

3)仪器所具创新点是:与以往同类仪器相比,实现了实时同步自主调节的功能,通过预留多个外部生理参数检测仪器扩展接口,本仪器可外接各类不同生理参数检测仪器,将采集到的生理参数数据通过上位机系统进行处理用作实时控制和后期治疗效果评价的数据依据。

4)作为一款医疗仪器,本仪器创造性的将仪器控制、病历档案、数据处理整合到一起,这有利于仪器的治疗效果评价、患者的治疗反馈、病历的在线处理和数据库调用等功能的实现。

附图说明

图1为一种生物自反馈的睡眠监护磁疗仪的结构示意图;

图2为磁场实时自调节功能的示意图;

图3为下位机系统的电路原理图;

图4为磁场产生系统的原理图。

附图中,各标号所代表的部件列表如下:

1:上位机系统;                           2:下位机系统;

3:生理参数监护系统;                     4:人体;

21:单片机控制电路;                      22:磁场产生电路;

23:线圈;                                C1:第一电容;

U0:AB两端的电压;                        D1:第一二极管;

D2:第二二极管;                          C2:第二电容;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410095066.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top