[发明专利]雪崩光电二极管检测器系统

权利要求书

1.一种用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，包括：

提供光学耦合至光源的雪崩光电二极管，由此所述光源向所述雪崩光电二极管提供输入光学功率水平；

测量响应所述输入光学功率水平而流动通过所述雪崩光电二极管的信号电流；

根据所述信号电流的测量来计算所述输入光学功率水平的估计；以及

基于所述输入光学功率水平的所述估计来调整施加至所述雪崩光电二极管的电压偏置，

其中，对于等于或低于第一输入光学功率水平的输入光学功率水平，将所述电压偏置调整为高电压水平V_H。

2.如权利要求1所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，对于等于或高于第二输入光学功率水平的输入光学功率水平，将所述电压偏置调整为低电压水平V_L。

3.如权利要求1所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中：

对于等于或小于第一输入光学功率水平的输入光学功率水平，将所述电压偏置调整为高电压水平V_H；

对于等于或大于第二输入光学功率水平的输入光学功率水平，将所述电压偏置调整为低电压水平V_L；

所述第一输入光学功率水平小于所述第二输入光学功率水平；以及

所述高电压水平V_H大于所述低电压水平V_L。

4.如权利要求3所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，对于所述第一输入光学功率水平和所述第二输入光学功率水平之间的输入光学功率水平，使通过所述雪崩二极管的所述信号电流保持恒定。

5.如权利要求4所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，对于所述第一输入光学功率水平和所述第二输入光学功率水平之间的输入光学功率水平，将所述电压偏置调整为在V_H和V_L之间。

6.如权利要求5所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，所述雪崩光电二极管在所述高电压水平V_H下呈现第一M因子。

7.如权利要求6所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，所述雪崩光电二极管在所述低电压水平V_L下呈现第二M因子。

8.如权利要求7所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，所述第一M因子大于所述第二M因子。

9.如权利要求8所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，在光学功率输入在所述第一输入光学功率水平和所述第二输入光学功率水平之间时，所述雪崩光电二极管呈现所述第一M因子和所述第二M因子之间的M因子。

10.如权利要求2所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，V_H大于V_L。

11.如权利要求4所述的用于对雪崩光电二极管进行偏置的方法，其中，在小于所述第一输入光学功率水平的输入光学功率水平下由所述雪崩二极管呈现的第一M因子大于在大于所述第二输入光学功率水平的输入光学功率水平下由所述雪崩二极管呈现的第二M因子。