[发明专利]移位寄存器、其制作方法、栅线集成驱动电路及相关装置在审

专利信息
申请号: 201410095533.2 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN103943081A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 王骁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 制作方法 集成 驱动 电路 相关 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种移位寄存器、其制作方法、栅线集成驱动电路、阵列基板及显示器。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)中,通常通过栅极驱动装置向像素区域的各个薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)的栅极提供栅极驱动信号。栅极驱动装置可以通过阵列工艺形成在液晶显示器的阵列基板上,即阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)工艺,这种集成工艺不仅节省了成本,而且可以做到液晶面板(Panel)两边对称的美观设计,同时,也省去了栅极集成电路(IC,Integrated Circuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)的布线空间,从而可以实现窄边框的设计;并且,这种集成工艺还可以省去栅线方向的Bonding工艺,从而提高了产能和良率。

现有的栅线集成驱动电路由多个移位寄存器组成,各个移位寄存器中的移位寄存器处理电路的信号输出端直接与移位寄存器的信号输出端相连,用于向与该移位寄存器的信号输出端相连的栅线提供栅极扫描信号。但是在现有的栅线集成驱动电路中,各个移位寄存器电路的信号输出端会有噪声输出,从而使各个移位寄存器电路提供给栅线的栅极扫描信号受到噪声的影响,噪声太大会造成与栅线连接的薄膜晶体管的栅电极自动开启,从而引起信号时序紊乱,造成液晶显示器的显示画面异常。

发明内容

本发明实施例提供了一种移位寄存器、其制作方法、栅线集成驱动电路、阵列基板及显示器,用以实现降低移位寄存器的信号输出端输出信号中的噪声。

本发明实施例提供的一种移位寄存器,包括移位寄存器处理电路,所述移位寄存器处理电路的信号输出端与所述移位寄存器的信号输出端相连,所述移位寄存器的信号输出端与栅线相连;还包括:

连接于所述移位寄存器处理电路的信号输出端与所述移位寄存器的信号输出端之间的滤波模块,所述滤波模块用于对所述移位寄存器处理电路的信号输出端输出的初始栅极扫描信号进行噪声消除处理,并将经过噪声消除处理后的栅极扫描信号输入到所述移位寄存器的信号输出端。

本发明实施例提供的上述移位寄存器,由于在现有的移位寄存器处理电路的信号输出端与移位寄存器信号输出端之间增加了一个滤波模块,该滤波模块可以在移位寄存器向栅线输入栅极扫描信号之前进行信号滤波处理以消除噪声,从而有效地降低了移位寄存器输入到栅线的栅极扫描信号中的噪声,进而避免了噪声所造成的液晶显示器的显示画面出现异常的问题。

较佳地,为了便于实施,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,所述滤波模块包括:滤波电容;其中,

所述滤波电容的第一电极分别与所述移位寄存器处理电路的信号输出端和所述移位寄存器的信号输出端相连;

所述滤波电容的第二电极接地。

较佳地,为了简化制备工艺,降低制作成本,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,所述滤波电容的第一电极与所述移位寄存器中的薄膜晶体管的栅电极设置为同层同材质;和/或

所述滤波电容的第二电极与所述移位寄存器中的薄膜晶体管的源漏电极设置为同层同材质。

或者,较佳地,为了简化制备工艺,降低制作成本,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,所述滤波电容的第一电极与所述移位寄存器中的薄膜晶体管的源漏电极设置为同层同材质;和/或

所述滤波电容的第二电极与所述移位寄存器中的薄膜晶体管的栅电极设置为同层同材质。

本发明实施例提供的一种移位寄存器的制作方法,包括形成移位寄存器处理电路的图案和滤波电容的图案;其中,

所述移位寄存器处理电路的信号输出端与所述移位寄存器的信号输出端相连,所述移位寄存器的信号输出端与栅线相连;所述滤波电容的第一电极连接于所述移位寄存器处理电路的信号输出端与所述移位寄存器的信号输出端之间,所述滤波电容的第二电极接地;所述滤波电容用于对所述移位寄存器处理电路的信号输出端输出的初始栅极扫描信号进行噪声消除处理,并将经过噪声消除处理后的栅极扫描信号输入到所述移位寄存器的信号输出端。

较佳地,为了简化制作工艺,降低生产成本,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述形成滤波电容的图案,具体包括:

通过一次构图工艺,在形成所述移位寄存器中的薄膜晶体管的栅电极的图案的同时形成所述滤波电容的第一电极的图案;和/或

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