[发明专利]半导体布置及其形成

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

形成具有第一工作电压的多个第一晶体管，所述多个第一晶体管包括在衬底的第一晶体管区域之上的多个第一栅极结构、邻近所述多个第一栅极结构的多个低压浅阱、以及邻近所述多个第一栅极结构的多个低压口袋注入区；以及

邻近所述多个第一晶体管形成具有第二工作电压的多个第二晶体管，形成所述多个第二晶体管包括：

在所述多个第一栅极结构之上、在所述第一晶体管区域之上并且在多个第二栅极结构之上形成第一高压光刻胶，所述多个第二栅极结构在所述衬底的第二晶体管区域之上，使得暴露邻近所述多个第二栅极结构的所述衬底的多个高压注入区和所述多个第二栅极结构的多个第二栅极顶部；

以第一高能量执行高压LDD注入，以将第一高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个第二栅极结构的多个高压浅阱；以及

以第二高能量执行高压口袋注入，以将第二高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个第二栅极结构的多个高压口袋注入区。

2.根据权利要求1所述的方法，形成所述多个第一晶体管包括：

在所述第二晶体管区域之上并且在所述多个第二栅极结构之上形成低压光刻胶，使得暴露所述多个第一栅极结构和邻近所述多个第一栅极结构的所述衬底的多个低压注入区；

以第一低能量执行低压LDD注入，以将第一电压掺杂物注入到所述多个低压注入区中，从而形成所述多个低压浅阱；以及

以第二低能量执行低压口袋注入，以将第二低压掺杂物注入到所述多个低压注入区中，从而形成所述多个低压口袋注入区。

3.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述衬底之上形成第一层栅极介电材料；

从所述衬底的所述第一晶体管区域去除所述第一层栅极介电材料，使得高压栅极电介质的第一部分留在所述衬底的所述第二晶体管区域之上；

在所述衬底之上并且在所述高压栅极电介质的所述第一部分之上形成第二层栅极介电材料，使得低压栅极电介质留在所述衬底的所述第一晶体管区域之上，并且所述高压栅极电介质留在所述衬底的所述第二晶体管区域之上，其中，所述高压栅极电介质包括所述第一部分和来自所述第二层栅极介电材料的第二部分；

在所述低压栅极电介质和所述高压栅极电介质之上形成栅电极材料层；以及

图案化所述栅电极材料层、所述低压栅极电介质和所述高压栅极电介质，以同时形成多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构。

4.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述多个第一栅极结构、所述多个第二栅极结构和所述衬底之上形成侧壁材料层；以及

图案化所述侧壁材料层，以同时形成邻近所述多个第一栅极结构的多个第一侧壁隔离物和邻近所述第二栅极结构的多个第二侧壁隔离物。

5.根据权利要求1所述的方法，执行低压口袋注入包括：通过所选额定电压，注入在器件制造中使用的剂量。

6.根据权利要求1所述的方法，所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管的类型不同。

7.根据权利要求1所述的方法，执行所述高压LDD注入包括：注入硼、磷、砷、锑、氟化硼、氮或碳中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，执行所述高压口袋注入包括：注入硼、磷、砷、锑、氟化硼、氮或碳中的至少一种。

9.一种半导体制造方法，包括：

在衬底的第一晶体管区域和所述衬底的第二晶体管区域之上形成第一高压光刻胶；

图案化所述第一高压光刻胶，以形成所述第一晶体管区域之上的高压光刻胶和所述第二晶体管区域之上的多个高压残留光刻胶，使得暴露邻近所述多个高压残留光刻胶的所述衬底的多个高压注入区；

以第一高能量执行高压LDD注入，以将第一高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个高压残留光刻胶的多个高压浅阱；以及

以第二高能量执行高压口袋注入，以将第二高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个高压残留光刻胶的多个高压口袋注入区。