[发明专利]脉冲线束

权利要求书

1.一种使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，包括：

选择一个具有非晶硅层的衬底；

通过组合来自至少第一激光二极管和第二激光二极管的脉冲光束来成形一个脉冲光束，以形成一个光线束，其中由第一激光二极管和第二激光二极管产生的脉冲光束的波长在780nm和980nm之间，并且第一激光二极管和第二激光二极管具有相差至少25nm的发射波长；

通过将所述衬底曝光至所述光线束来处理所述衬底的非晶硅层，从而产生多晶硅层，其中曝光区域对应于所述光线束的横截面面积。

2.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述脉冲光束的光学脉冲具有在1ms和1μs之间的一个脉冲持续时间T和在1kHz和1MHz之间的一个脉冲重复频率f。

3.根据权利要求2所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中fT小于0.5。

4.根据权利要求2所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中fT小于0.1。

5.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中峰脉冲功率是至少10/fT瓦特。

6.根据权利要求5所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中峰脉冲功率是至少100/fT瓦特。

7.根据权利要求6所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中峰脉冲功率是至少1000/fT瓦特。

8.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述至少第一激光二极管和第二激光二极管中的至少一个被配置以发射一个连续光束。

9.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，还包括扫描所述脉冲光束和所述衬底中的至少一个，从而处理所述衬底。

10.根据权利要求9所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述扫描被配置为使得所述衬底接收至少10个顺次的光学脉冲。

11.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述非晶硅层被处理，以具有至少10cm²/Vs的迁移率。

12.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述非晶硅层被处理，以具有至少50cm²/Vs的迁移率。

13.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，还包括将所述脉冲光束引导至一个被配置以使所述脉冲光束均化的光导，以及将所述衬底曝光至所均化的光束。

14.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底包含一个区，该区包含掺杂物，其中所述脉冲光束被施加，从而扩散来自掺杂区的所述掺杂物。

15.根据权利要求14所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底包含一个层，所述层具有掺杂区，且所述脉冲光束被施加，从而扩散所述层中的所述掺杂物。

16.根据权利要求15所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述层是一个掺杂硅层。

17.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底在所述曝光区域中被曝光至来自所述至少第一激光二极管和第二激光二极管的所述脉冲光束，从而将至少500℃的温度维持持续100ms和2s之间。

18.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底在所述曝光区域中被曝光至来自所述至少第一激光二极管和第二激光二极管的所述脉冲光束，从而将至少1000℃的温度维持持续100ms和2s之间。

19.根据权利要求1所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底包含一个区，所述区包含掺杂物，其中所述脉冲光束被施加，从而激活掺杂区中的所述掺杂物。

20.根据权利要求19所述的使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，其中所述衬底包含一个层，所述层具有掺杂区，且所述脉冲光束被施加，从而激活所述层中的所述掺杂物。