[发明专利]一种用于加工载体的方法

说明书

技术领域

各个实施例总体上涉及一种用于加工载体的方法。

背景技术

制造集成电路、芯片或管芯或者加工载体可以包括至少一个蚀刻工艺以便生成结构元件的希望的形状。应用诸如等离子体蚀刻或者例如反应等离子体蚀刻之类的蚀刻工艺纵然有许多优点，也可能具有可能发生载荷机制（载荷效应），例如微载荷或者依赖于宽高比的蚀刻的问题。由此，载体上的集成电路中包含的具有较大开放区域的孔（或者凹口）可能最终具有比具有较小开放区域的另一个孔（或者另一个凹口）更大的深度，而不管对于这两个孔（或者这两个凹口）使用了非常相同的蚀刻工艺。因此，晶片上的邻近结构元件之间的距离以及结构元件的尺寸在蚀刻工艺期间可以影响蚀刻速率。

发明内容

依照一个或多个实施例的一种用于加工载体的方法可以包括：在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；以及部分地移除第一层，其中所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁部分地暴露。

此外，依照一个或多个实施例的一种用于加工载体的方法可以包括：在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有小于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的一半的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；以及部分地移除第一层，其中所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁部分地暴露。

附图说明

在附图中，相同的附图标记通常贯穿不同的视图表示相同的部分。附图不一定符合比例，相反地，重点一般放在图解说明本发明的原理。在以下具体实施方式中，参照以下附图描述了本发明的各个实施例，其中：

图1示出了依照各个实施例的用于加工载体的方法100的流程图；

图2示出了依照各个实施例的用于加工载体的方法200的流程图；

图3A-3H分别示出了参照依照各个实施例的方法100的各个加工阶段的载体的截面；

图4A和4B分别示出了参照依照各个实施例的方法200的各个加工阶段的载体的截面；

图5A和5B分别示出了参照依照各个实施例的方法100的各个加工阶段的载体的截面；

图6A和6B分别示出了参照依照各个实施例的方法200的各个加工阶段的载体的截面；

图7A和7B分别示出了参照依照各个实施例的方法200的各个加工阶段的载体的截面；

图8示出了依照各个实施例的包括多个孔的载体的顶视图和截面；以及

图9示出了依照各个实施例的包括多个凹口的载体的顶视图和截面。

具体实施方式

以下详细描述参照了附图，这些附图通过图示的方式示出了其中可以实施本发明的实施例和特定细节。

措词“示例性”在本文中用来表示“用作实例、示例或者例证”。在本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定应当解释为相对于其他实施例或设计是优选的或有利的。

关于在侧面或表面“上方”形成的沉积材料所使用的措词“上方”可以在本文中用来表示该沉积材料可以“直接在暗示的侧面或表面上”（例如与其直接接触地）形成。关于在侧面或表面“上方”形成的沉积材料所使用的措词“上方”可以在本文中用来表示该沉积材料可以“间接在暗示的侧面或表面上”形成，其中一个或多个附加层布置在暗示的侧面或表面与沉积材料之间。

关于结构的横向延伸（或者结构元件的横向延伸）使用的措词“横向”可以在本文中用来表示沿着与载体表面平行的方向的延伸。这意味着载体的表面（例如衬底的表面或者晶片的表面）可以用作基准。此外，关于结构的宽度（或者结构元件的宽度）使用的措词“宽度”可以在本文中用来表示结构的横向延伸（或者结构元件的横向延伸）。此外，关于结构的高度（或者结构元件的高度）使用的措词“高度”可以在本文中用来表示结构（或者结构元件）沿着与载体表面垂直的方向的延伸。