[发明专利]金属内连线结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410097407.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934411A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 薛家倩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 连线 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属内连线结构，其特征在于包括：
介电层，位于衬底上，该介电层具有开口，裸露出该衬底；
导体镶嵌结构，位于该开口中，该导体镶嵌结构的顶面低于该介电层的顶面；
第一阻障层，位于该介电层与该导体镶嵌结构之间以及该衬底与该导体镶嵌结构之间；以及
第二阻障层，位于该开口中，覆盖该导体镶嵌结构的顶面。
2.如权利要求1所述的金属内连线结构，其特征在于，该第一阻障层与该第二阻障层的材料包括铂、铱、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨或其组合。
3.如权利要求1所述的金属内连线结构，其特征在于，更包括导体结构，该导体结构覆盖该第二阻障层，电性连接该导体镶嵌结构。
4.如权利要求1所述的金属内连线结构，其特征在于该导体结构包括导体插塞。
5.如权利要求1所述的金属内连线结构，其特征在于该导体结构包括导线。
6.一种金属内连线结构的制造方法，其特征在于包括：
在介电层中形成开口；
在该开口中形成第一阻障层；
在该开口中的该第一阻障层上形成导体镶嵌结构；以及
在该开口中形成第二阻障层，该第二阻障层覆盖该导体镶嵌结构的顶面。
7.如权利要求6所述的金属内连线结构的制造方法，其特征在于该第一阻障层与该第二阻障层包括铂、铱、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨或其组合。
8.如权利要求6所述的金属内连线结构的制造方法，其特征在于形成该导体镶嵌结构的方法包括：
形成导体层，以覆盖该介电层并填入于该开口中；以及
移除部分的该导体层，使所形成的该导体镶嵌结构的顶面低于该介电层的顶面。
9.如权利要求6所述的金属内连线结构的制造方法，其特征在于更包括形成导线，覆盖该介电层与该第二阻障层，以电性连接该导体镶嵌结构。
10.如权利要求6所述的金属内连线结构的制造方法，其特征在于更包括在该第二阻障层上形成导体插塞，以电性连接该导体镶嵌结构。
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