[发明专利]参数监测方法在审
| 申请号： | 201410097489.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871933A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 曾军;高峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参数 监测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种参数监测方法，包括步骤：
筛选出多个参数中具有相关性的参数；
由所述具有相关性的参数获取一常数；
使用图表收集和记录所述常数；
根据所述常数监测所述具有相关性的参数。
2.如权利要求1所述的参数监测方法，其特征在于，所述具有相关性的参数通过一公式计算得出所述常数。
3.如权利要求2所述的参数监测方法，其特征在于，所述公式具有多个系数。
4.如权利要求3所述的参数监测方法，其特征在于，所述系数与所述具有相关性的参数个数相同。
5.如权利要求4所述的参数监测方法，其特征在于，所述系数通过曲线拟合法得出。
6.如权利要求1所述的参数监测方法，其特征在于，所述图表设有一范围。
7.如权利要求6所述的参数监测方法，其特征在于，所述常数超出所述范围时，则引发出报警。
8.如权利要求1所述的参数监测方法，其特征在于，所述具有相关性的参数是靶电压和靶材寿命。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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