[发明专利]多晶硅电阻器结构制造方法以及多晶硅电阻器结构有效
| 申请号： | 201410097595.7 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839778A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 高超;江红;王哲献 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻器 结构 制造 方法 以及 | ||
1.一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：
在绝缘层依次形成控制栅极层和氮化硅层，并且刻蚀氮化硅层以在氮化硅层中形成凹槽；
在剩余的氮化硅层以及凹槽上形成第一隔离物层；
对第一隔离物层、控制栅极层和绝缘层进行干法刻蚀，从而在绝缘层中形成与凹槽的位置相对应的绝缘层凹槽，并且在绝缘层凹槽四周的剩余控制栅极上形成由于第一隔离物层剩余而形成的第一隔离物侧壁，并且去除除了第一隔离物侧壁之外的第一隔离物层；
在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第二隔离物层；
对第二隔离物层进行刻蚀，从而仅仅留下绝缘层凹槽侧壁上的第二隔离物层以形成第二隔离物侧壁，第二隔离物侧壁覆盖在控制栅极层侧壁上；
在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁、第二隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第一多晶硅层；
化学机械研磨法研磨第一多晶硅层，从而去除剩余的氮化硅层表面的第一多晶硅层，保留绝缘层凹槽上的第一多晶硅层，以形成第一多晶硅结构；
去除剩余的氮化硅层，并干法刻蚀去除剩余氮化硅层下方的控制栅极层；
在第一多晶硅结构上形成第二多晶硅结构。
2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层是存储器结构的字线多晶硅层。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，化学机械研磨法研磨第一多晶硅层，从而至少去除剩余的氮化硅层表面的第一多晶硅层，保留绝缘层凹槽上的第一多晶硅层，以形成第一多晶硅结构，其中还部分地去除第一隔离物侧壁上的第一多晶硅层。
4.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，第一隔离物层是二氧化硅层；第二隔离物层是二氧化硅层。
5.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，第二多晶硅结构完全覆盖第一多晶硅结构，只在沿电阻长度方向两侧露出第一多晶硅结构。
6.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，第二多晶硅结构周围具有隔离物侧壁。
7.根据权利要求1或2所述的多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于，在第一多晶硅结构上，在第二多晶硅结构沿电阻长度方向两侧形成电连接接触。
8.一种采用根据权利要求1至7之一所述的多晶硅电阻器结构制造方法制成的多晶硅电阻器结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
