[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧形成有偏移侧墙；

实施第一低掺杂离子注入，以在所述PMOS区中形成第一低掺杂源/漏区；

在所述PMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在所述PMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式锗硅层；

实施第二低掺杂离子注入，以在所述NMOS区中形成第二低掺杂源/漏区；

在所述NMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在所述NMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式碳硅层；

去除伪栅极结构，分别在NMOS区和PMOS区上形成第一高k-金属栅极结构和第二高k-金属栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的牺牲栅介电层和牺牲栅电极层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏移侧墙由氧化物、氮化物或者二者的组合构成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一低掺杂离子注入之后，还包括实施第一袋状区离子注入的步骤，以在所述PMOS区中形成将所述第一低掺杂源/漏区包裹住的第一袋状区；在所述第二低掺杂离子注入之后，还包括实施第二袋状区离子注入的步骤，以在所述NMOS区中形成将所述第二低掺杂源/漏区包裹住的第二袋状区。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施第一低掺杂离子注入之前或者同时以及在实施第二低掺杂离子注入之前或者同时，还包括实施预非晶化注入的步骤，以降低短沟道效应。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述嵌入式锗硅层和所述嵌入式碳硅层的顶部形成有帽层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述伪栅极结构之前，还包括下述步骤：去除所述侧墙，实施应力记忆过程；在所述半导体衬底上形成覆盖所述伪栅极结构的接触孔蚀刻停止层；在所述接触孔蚀刻停止层上形成层间介电层；执行化学机械研磨依次研磨所述层间介电层和所述接触孔蚀刻停止层，直至露出所述伪栅极结构的顶部。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一高k-金属栅极结构包括自下而上层叠的界面层、高k介电层、覆盖层、阻挡层、第一功函数设定金属层、浸润层和金属栅极材料层；所述第二高k-金属栅极结构包括自下而上层叠的所述界面层、所述高k介电层、所述覆盖层、所述阻挡层、第二功函数设定金属层、所述浸润层和所述金属栅极材料层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一功函数设定金属层的构成材料为适用于所述NMOS的金属材料，包括一层或多层金属或金属化合物；所述第二功函数设定金属层的构成材料为适用于所述PMOS的金属材料，包括一层或多层金属或金属化合物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS。