[发明专利]存储器和包括存储器的存储器系统

说明书

一种存储器，包括：第一单元块，包括多个第一字线组和一个或更多个第一冗余字线组，一个或更多个第一冗余字线组中的每个对应于多个命中信号中的一个命中信号；第二单元块，包括多个第二字线组和一个或更多个第二冗余字线组，一个或更多个第二冗余字线组中的每个对应于多个命中信号中的一个命中信号；以及控制单元，适用于响应于第一输入地址而选择单元块和字线，以及基于在第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择的字线，而当通过第一输入地址选择的第一选择字线与冗余字线相邻时，响应于第一输入地址和命中信号而刷新与第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，第一输入地址在目标刷新部分中被第一个输入。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年8月13日提交的申请号为10-2013-0096031的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器和包括所述存储器的存储器系统。

背景技术

存储器的存储器单元包括用作开关的晶体管和用于储存电荷(即，数据)的电容器。根据存储器单元中的电容器是否储存电荷，即根据电容器的两个端子之间的电位是高还是低，可以将数据的逻辑电平判定为高电平(逻辑“1”)或低电平(逻辑“0”)。

由于数据以积累的电荷的形式储存在电容器中，所以理想情况是储存的电荷没有功耗。然而，由于金属氧化物半导体(MOS)晶体管的PN结会导致发生电流泄漏，所以储存的初始电荷会被放电，且因而储存的数据会丢失。为了防止这种数据丢失，需要读取储存在存储器单元中的数据，并且在数据丢失之前基于读取的数据对存储器单元进行再充电。对存储器单元进行再充电的操作被称为刷新操作。应周期性地执行刷新操作以保持储存的数据。

图1是说明用于描述字线干扰的存储器中包括的单元阵列的一部分的图。

在图1中，“WLK-1”、“WLK”和“WLK+1”表示依次设置在单元阵列中的三个字线。由“HIGH_ACT”指示的字线WLK表示频繁激活的字线，其具有大量激活次数或者高的激活频率，而字线WLK-1和WLK+1表示相邻字线，其被设置成与频繁激活的WLK相邻。“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”分别表示与字线WLK-1、WLK和WLK+1耦接的存储器单元。存储器单元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。供作参考，“BL”和“BL+1”表示位线。

当频繁激活的字线WLK被激活或预充电时，相邻字线WLK-1和WLK+1的电压由于发生在字线WLK、WLK-1和WLK+1之间的耦合现象而增大或减小。因此，影响单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1中储存的电荷量。因此，当频繁激活的字线WLK在激活状态和预充电状态之间切换时，单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中储存的数据可能会由于单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中储存的电荷量的变化而丢失。

另外，当字线在激活状态和预充电状态之间切换时会产生电磁波，而电磁波允许电子流入与相邻字线耦接的存储器单元中包括的单元电容器或从其流出。结果，存储器单元中储存的数据可能会丢失。

发明内容

各种示例性实施例涉及提供一种存储器和存储器系统，用于通过刷新相邻字线来防止耦接至与频繁激活的字线相邻的相邻字线的存储器单元中的数据丢失。

此外，各种示例性实施例涉及提供一种存储器和存储器系统，用于即使在频繁激活的字线是替换正常字线的冗余字线时，也防止耦接至与频繁激活的字线相邻的相邻字线的存储器单元中的数据丢失。