[发明专利]制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，其特征在于，将锡源与硫源混合于水/乙二醇混合溶剂中配制出SnS前体化学反应溶液，再将导电基底快速置于盛放SnS前体化学反应溶液的聚四氟乙烯反应釜内并进行原位溶剂热反应，使得厚度为30±5nm，长度为200～300nm的硫化亚锡纳米片阵列薄膜均匀生长于导电基底的表面；

所述的原位溶剂热反应是指：将聚四氟乙烯反应釜密封后置于马弗炉中加热至100℃～240℃并反应2h～120h；

所述的锡源为氯化亚锡，所述的硫源为硫代乙酰胺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的原位溶剂热反应为加热至180℃并反应12小时。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的SnS前体化学反应溶液具体通过以下

方式制备得到：

1)将氯化亚锡加入三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液混合后搅拌；

2)进一步加入硫代乙酰胺和水/乙二醇混合溶剂。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征是，在硫代乙酰胺加入前先加入氨水。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征是，所述的氯化亚锡和硫代乙酰胺的摩尔比为1：1～1.5。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征是，所述的三乙醇胺、丙酮、氨水以及柠檬酸钠的体积比分别为2.5：2：2：2～2.5。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征是，所述的水/乙二醇混合溶剂中水与乙二醇混合溶剂的体积比为1:1。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征是，所述的柠檬酸钠溶液的浓度为0.1mol/L。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的导电基底为导电玻璃或金属。

10.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的硫化亚锡纳米片阵列薄膜的应用，其特征在于，将其作为电极材料用于制备面积为0.25cm²，开路光电压V_oc为0.70mV，短路光电流J_sc为15.03mA/cm²，填充因子FF为0.68，能量转换效率η为7.15%的染料敏化太阳能电池。