[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410098316.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871901B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
对所述半导体衬底进行热氧化工艺；
在所述半导体衬底上形成外延层；
在所述外延层内形成栅极沟槽；
在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；
沉积栅极材料于所述的栅极氧化层上。
2.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行热氧化工艺，在所述半导体衬底上形成氧化层。
3.如权利要求2所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述热氧化工艺的温度为850℃～950℃。
4.如权利要求3所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，采用湿刻的方法去除所述氧化层。
5.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，采用光刻和刻蚀工艺在所述外延层内形成栅极沟槽。
6.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述栅极材料为多晶硅。
7.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，在所述栅极沟槽内形成栅极材料后，还包括回刻所述栅极材料以露出部分所述栅极氧化层。
8.如权利要求7所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，在回刻栅极材料后还包括步骤：在栅极沟槽两侧的外延层上进行离子注入，形成源区和漏区。
9.一种使用权利要求1～8所述的沟槽功率器件的制作方法制作的沟槽功率器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成的外延层；
在所述外延层内形成的栅极沟槽；
在所述栅极沟槽内壁形成的栅极氧化层；
沉积于所述栅极氧化层上的栅极材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410098316.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：四管道双头数粒机
- 下一篇：具有超陡逆行阱的体鳍片FET及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
