[发明专利]电可擦可编程只读存储器以及操作方法在审
| 申请号： | 201410098537.6 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839587A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 以及 操作方法 | ||
1.一种电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述电可擦可编程只读存储器包括：多行及多列存储单元多个字线，所述多个字线耦合到所述多行存储单元多个位线，所述多个位线耦合到所述多列存储单元多个控制栅，所述多个控制栅耦合到所述多行存储单元所述电可擦可编程只读存储器的操作方法包括
选择需进行擦除操作的所述存储单元
需擦除的所述存储单元耦合的位线施加第一电压，需擦除的所述存储单元耦合的字线施加第二电压，需擦除的所述存储单元耦合的控制栅施加第三电压，以对需擦除的所述存储单元进行擦除操作
其中，所述第一电压与所述第三电压之间的电压差大于所述第二电压与所述第三电压之间的电压差。
2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述存储单元为双浮栅、双控制栅结构，所述存储单元包括用于存储两个相互独立字节的两个存储子单元。
3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第一电压的取值范围为3V～8V。
4.如权利要求3所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第一电压为5.5V。
5.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第二电压的取值范围为0V～-5V。
6.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第二电压为-2V。
7.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第三电压的取值范围为-4V～-10V。
8.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述第三电压为-6.5V。
9.一种采用权利要求1至8中任一项所述的操作方法的电可擦可编程只读存储器。
10.如权利要求9所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于，每行的存储单元之间直接串联连接。
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